[发明专利]具有完全在单元内部的电源轨的标准单元架构在审
申请号: | 201911392160.4 | 申请日: | 2019-12-30 |
公开(公告)号: | CN111508927A | 公开(公告)日: | 2020-08-07 |
发明(设计)人: | S·C·加迪加特拉;R·库马尔;M·内伯斯;Q·潘 | 申请(专利权)人: | 英特尔公司 |
主分类号: | H01L23/528 | 分类号: | H01L23/528;H01L23/48;H01L21/768 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 邬少俊 |
地址: | 美国加*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 完全 单元 内部 电源 标准 架构 | ||
1.一种集成电路结构,包括:
金属级上的单元,所述单元由单元边界限定;
所述单元边界内部的多个基本平行的互连线;以及
第一电源轨和第二电源轨,所述第一电源轨和所述第二电源轨都专用于电源,并且在所述金属级上完全位于所述单元边界内部,而沿所述单元边界没有任何电源轨。
2.根据权利要求1所述的集成电路结构,其中,所述单元还包括在所述金属级上沿所述单元边界的相对侧的块级布线互连。
3.根据权利要求1或2所述的集成电路结构,还包括:
器件,其在所述金属级下方的器件级上、处于所述单元边界内部;
电源沟槽接触部(TCN),其在所述器件级上在所述单元边界内部耦合到所述器件;以及
电源过孔接触部(VCT),其耦合在所述电源TCN和所述第一电源轨或所述第二电源轨之间,其中,所述电源VCT在所述金属级和所述器件级之间的过孔级上位于所述单元边界内部。
4.根据权利要求1或2所述的集成电路结构,其中,所述第一电源轨包括Vss电源轨,并且所述第二电源轨包括Vcc电源轨。
5.根据权利要求4所述的集成电路结构,其中,所述Vss电源轨位于与顶部单元边界(TCB)和底部单元边界(BCB)中的一个相邻的位置,并且所述Vcc电源轨位于与所述单元边界中的相对的一个相邻的位置。
6.根据权利要求5所述的集成电路结构,其中,互连线位于所述Vss电源轨和所述Vcc电源轨之间。
7.根据权利要求1或2所述的集成电路结构,其中,所述电源VCT直接着陆在所述器件之上。
8.一种集成电路结构,包括:
金属级上的单元,所述单元由单元边界限定;
所述单元边界内部的多个基本平行的互连线;
第一电源轨和第二电源轨,所述第一电源轨和所述第二电源轨都专用于电源并且在所述金属级上完全位于所述单元边界内部;
第一器件和第二器件,所述第一器件和所述第二器件在所述金属级下方的器件级上处于所述单元边界内部;
第一电源沟槽接触部(TCN),其在所述器件级上在所述单元边界内部耦合到所述第一器件;
第二电源TCN,其在所述器件级上在所述单元边界内部耦合到所述第二器件;
第一电源过孔接触部(VCT),其耦合在所述第一电源TCN和所述第一电源轨之间,其中,所述第一电源VCT位于所述单元边界内部并且在所述金属级和所述器件级之间的过孔级上;以及
第二电源过孔接触部(VCT),其耦合在所述第二电源TCN和所述第二电源轨之间,其中,所述第二电源VCT位于所述单元边界内部并且在所述金属级和所述器件级之间的过孔级上。
9.根据权利要求8所述的集成电路结构,其中,所述单元还包括在所述金属级上沿所述单元边界的相对侧的块级布线互连。
10.根据权利要求8或9所述的集成电路结构,其中,所述第一电源轨包括Vss电源轨,并且所述第二电源轨包括Vcc电源轨。
11.根据权利要求10所述的集成电路结构,其中,所述Vss电源轨位于与顶部单元边界(TCB)和底部单元边界(BCB)中的一个相邻的位置,并且所述Vcc电源轨位于与所述单元边界中的相对的一个相邻的位置。
12.根据权利要求11所述的集成电路结构,其中,互连线位于所述Vss电源轨和所述Vcc电源轨之间。
13.根据权利要求8或9所述的集成电路结构,其中,所述第一电源VCT直接着陆在所述第一器件之上,并且所述第二电源VCT直接着陆在所述第二器件之上。
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