[发明专利]一种用于干法蚀刻中去除PSS衬底AlN涂层的方法

说明书

本发明公开一种用于干法蚀刻中去除PSS衬底AlN涂层的方法，包括以下步骤：1)将带有AlN涂层的PSS衬底，装载到ICP进行干法蚀刻；2)在干法蚀刻时，使用氯基气体，在一定温度和压力下对PSS衬底进行电离；3)通过偏置射频电压对等离子体进行加速，将沉积在PSS衬底表面的AlN涂层去除，保留原PSS衬底表面的图形。本发明将带有AlN涂层的PSS衬底通过干法蚀刻的方法，将AlN涂层均匀的去除，能够降低成本，且去除AlN均匀性佳，保持原PSS图形尺寸基本不变。

技术领域

本发明涉及一种用于干法蚀刻中去除PSS衬底AlN涂层的方法，属于图形化蓝宝石衬底加工技术领域。

背景技术

图形化蓝宝石衬底(PSS)的加工过程中，为增加与外延MOCVD晶格匹配度，会在PSS表面沉积一层AlN涂层，厚度＜50纳米。在沉积AlN涂层时，经常因各种原因，例如Particle(颗粒)过多，设备故障等，导致沉积失败，导致PSS报废。

发明内容

针对上述现有技术存在的问题，本发明提供一种用于干法蚀刻中去除PSS衬底AlN涂层的方法，将报废PSS重新利用，降低成本，且去除AlN均匀性佳，保持原PSS图形尺寸基本不变。

为了实现上述目的，本发明采用的一种用于干法蚀刻中去除PSS衬底AlN涂层的方法，包括以下步骤：

1)将带有AlN涂层的PSS衬底，装载到ICP进行干法蚀刻；

2)在干法蚀刻时，使用氯基气体，在一定温度和压力下对PSS衬底进行电离；

3)通过偏置射频电压对等离子体进行加速，将沉积在PSS衬底表面的AlN涂层去除，保留原PSS衬底表面的图形。

所述步骤2)的干法蚀刻时，腔体压力控制在2-10mTorr。

所述步骤2)的干法蚀刻时，电离线圈射频功率为1200-2000W。

所述步骤2)的干法蚀刻时，偏置射频功率为300-600W。

所述步骤2)的干法蚀刻时，腔内温度为35-80℃。

所述步骤2)的干法蚀刻时，氯基气体的流量为60-200sccm。

所述步骤2)的干法蚀刻时，所述氯基气体采用BCl₃。

所述步骤2)的干法蚀刻时，辅助采用氟基气体或Ar。

采用的氟基气体为CHF₃。

现有技术中，由于AlN图形异常，会导致PSS报废，极大增加运营成本。本发明将带有AlN涂层的PSS衬底通过干法蚀刻的方法，将AlN涂层均匀的去除，能够降低成本，且去除AlN均匀性佳，保持原PSS图形尺寸基本不变。

附图说明

图1为本发明实施例1中PSS蚀刻量变化图；

图2为本发明的SEM图；其中，图A为带有AlN涂层的PSS衬底，图B为60s OverEtch；图C为80s OverEtch。

具体实施方式

为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚明了，下面对本发明进行进一步详细说明。但是应该理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限制本发明的范围。

除非另有定义，本文所使用的所有的技术术语和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同，本文中在本发明的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本发明。

实施例1

一种用于干法蚀刻中去除PSS衬底AlN涂层的方法，包括以下步骤：