[发明专利]一种基于D-A型TADF新材料、其制备方法及其应用

权利要求书

1.一种基于D-A型TADF新材料，其特征在于，其结构式为式(I)所示：

2.基于权利要求1所述的一种基于D-A型TADF新材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1：PHXB-1的合成：向容器中加入吩噁嗪、对碘苯甲酸甲酯、氧化亚铜、溶剂，然后将体系温度升至160℃，在惰性气体环境下搅拌反应8-12小时；反应完全后，冷却至室温，过滤掉氧化亚铜，取得滤液，加入足量水后得到析出固体粗产品；提纯粗产品，获得PHXB-1的纯品；

S2:PHXB-2的合成：向容器中加入PHXB-1、醇溶剂和强碱水溶液的混合物，并在惰性气体环境下回流搅拌6-8小时；反应完全后，冷却至室温，将混合物倒入适量水中，加酸性溶液将混合物的pH调节至5.0；过滤收集粗产物，层析提纯粗产品，获得PHXB-2的纯品；

S3：PHXB-3的合成：向容器中加入PHXB-2，2-羟基苯乙酮，4-吡咯烷二吡啶，N,N-二环己基碳二亚胺和二氯甲烷，并在惰性气体环境下室温反应12小时；反应完全后，将混合物过滤、洗涤、烘干，层析提纯粗产品，获得PHXB-3的纯品；

S4：PHXB-4的合成：向容器中加入PHXB-3、强碱和吡啶，然后将体系温度升至60℃，在惰性气体环境下反应6-8小时；反应完全后，冷却至室温，用酸性溶液将混合物的PH调节至5.0；过滤收集粗产物，层析提纯粗产品，获得PHXB-4的纯品；

S5：CZB-PXZ的合成：向容器中加入PHXB-4、甲苯和DMF-DMA，然后将体系温度升至80℃，在惰性气体环境下搅拌反应1小时；完全反应后，冷却至室温，过滤收集粗产物，层析提纯粗产品，获得CZB-PXZ的纯品，即D-A型TADF新材料。

3.根据权利要求2所述的一种基于D-A型TADF新材料的制备方法，其特征在于，步骤S1～S5中的所述的层析提纯法为离子交换层析、气相层析、薄层层析、高效液相层析或柱层析。

4.根据权利要求2所述的一种基于D-A型TADF新材料的制备方法，其特征在于，步骤S1中所述吩噁嗪、对碘苯甲酸甲酯、氧化亚铜摩尔质量比为(0.5-2):(1-2):(2-4)，所述吩噁嗪与溶剂的摩尔体积比为(1-2):(10-40)。

5.根据权利要求2所述的一种基于D-A型TADF新材料的制备方法，其特征在于，步骤S2中PHXB-1和醇溶剂的摩尔体积比为(1-2):(4-10)，醇溶剂与强碱水溶液的混合物的体积比为(1-2):(1-2)。

6.根据权利要求2所述的一种基于D-A型TADF新材料的制备方法，其特征在于，步骤S3中N，N-二环己基碳二亚胺、PHXB-2、2-羟基苯乙酮与4-吡咯烷二吡啶的摩尔质量比为(1-4):(2-8):(1-4):(2-20)。

7.根据权利要求2所述的一种基于D-A型TADF新材料的制备方法，其特征在于，步骤S5中PHXB-4与DMF-DMA摩尔质量比(1-2):(10-20)，PHXB-4和甲苯的摩尔体积比为(1-2):(10-40)。

8.一种D-A型TADF新材料的应用，其特征在于，权利要求1～7任一项所述的D-A型新材料作为发光材料应用于有机发光二极管中。

9.根据权利要求8所述的一种D-A型TADF新材料的应用，其特征在于，所述的D-A型新材料以质量分数为1％～15％掺杂到OLED器件中的主体材料MCP中。

10.一种OLED器件，其特征在于，包含有权利要求1～7任一项所述的D-A型新材料或包含有权利要求8～9任一项所述的有机发光二极管。