[发明专利]负极补锂添加剂及其制备方法

说明书

本发明提供一种负极补锂添加剂及其制备方法，包括以下步骤：步骤一，取硅的氧化物和锂元素的无机化合物按摩尔比为1：2～4混合均匀，在保护气体下烧结，冷却至室温后得到硅酸锂材料；步骤二，将所述硅酸锂材料与硅粉进行混合，干法高能球磨，然后进行热等静压得到所述硅‑硅酸锂复合材料；步骤三，将所述硅‑硅酸锂复合材料利用破碎机破碎后，与碳无机物混合干法球磨，在保护气体环境下进行煅烧，并通过抽滤方法得到悬浮液中的固体，即制得碳包覆的硅‑硅酸锂复合材料颗粒。本发明制备方法工艺简单、成本较低、可大规模工业生产，本发明负极补锂添加剂是由碳包覆的正硅酸锂和纳米硅混合相制备而成，具有较高的首次库伦效率。

技术领域

本发明涉及锂离子电池领域，尤其是涉及一种负极补锂添加剂的制备方法。

背景技术

锂离子电池因其较高的比能量、长循环的使用寿命等优点而广泛应用于各类电子产品，储能设备以及电动汽车(全电动/混动)等领域中。当前商业化应用的锂离子电池负极材料主要是石墨类负极材料，其理论比容量仅仅只有372mAh/g，实际发挥的比容量在340-360mAh/g之间，显然对于下一代超高比能量电池的需求无法根本得到满足。由此可见，研发现实中存在的问题已经将迫切开发出首次充放电库伦效率更优异的下一代新型负极材料，以实现新一代储能体系的普遍优化和广泛使用转化成为电池研究领域的关键课题。

近年来，硅系负极材料因其足够高的比容量(Si：4200mAh/g，SiO： 2000mAh/g)而受到了学术界和工业界广泛而深入的关注。然而，硅材料在嵌锂的过程中会产生高达300～400％的体积膨胀问题，并由此而引发一系列的粉化、脱层现象。现有技术中，对于解决剧烈膨胀的问题，普遍采取纳米化硅颗粒并作碳包覆的方法，来抑制固态电解质膜(简称SEI膜)合成和缓冲体积膨胀；但是，纳米硅的制作技术复杂，成本高昂，难以转化到实际生产；相较于纳米硅，氧化亚硅的体积膨胀系数只有200％，要远低于纳米硅；而且，氧化亚硅在首次嵌锂过程中会形成硅酸锂物相，例如偏硅酸锂、正硅酸锂等，这些材料具有一定的离子导电性，并且弹性系数较小可以作为体积膨胀的缓冲带；此外，氧化亚硅材料价格较纳米硅要低；因此，氧化亚硅被视为高性能锂离子电池理想的负极材料之一，然而其嵌锂过程中会形成硅酸锂物相会消耗部分锂，且为不可逆反应，造成电池的首次库伦效率偏低，极度限制了其在锂离子电池中的大范围应用。当前，较为常见做法是借鉴对硅进行预锂的方法，对氧化亚硅也进行预锂化处理，将电极循环第一次嵌锂过程的所消耗的锂相关反应提前至材料制备阶段，通过电化学预锂方式实现，但这一方法过程复杂低效昂贵，难以实现规模化生产及保证产品性能。当前，解决硅系材料首次库伦效率低的问题还仍有许多问题亟待解决。

发明内容

本发明要解决的技术问题是提供一种工艺简单、成本较低、可大规模工业生产、并具备优异电池性能的负极补锂添加剂及其制备方法，其是由碳包覆的正硅酸锂和纳米硅混合相制备而成，具有较高的首次库伦效率。

为了解决上述技术问题，本发明提供一种负极补锂添加剂及其制备方法，包括以下步骤：

步骤一，取硅的氧化物和锂元素的无机化合物按摩尔比为1：2～4混合均匀，在保护气体的环境下烧结，冷却至室温后得到硅酸锂材料；

步骤二，将步骤一中的硅酸锂材料与硅粉进行混合，干法高能球磨，然后进行热等静压得到所述硅-硅酸锂复合材料；

步骤三，将步骤二中制得的硅-硅酸锂复合材料利用破碎机破碎后，与碳无机物混合干法球磨，在保护气体环境下进行煅烧，并通过抽滤方法得到悬浮液中的固体，即制得碳包覆的硅-硅酸锂复合材料颗粒。

作为优选方式，所述步骤一中，硅的氧化物中O、Si原子比为n，1≤n ≤2，其粒径为3～10μm。

作为优选方式，所述步骤一中，硅的氧化物为二氧化硅、氧化亚硅中的一种或者两种的混合物。

作为优选方式，所述步骤一中，锂元素的无机化合物为碳酸锂、氢氧化锂中的一种或者两种的混合物。