[发明专利]一种多孔性表面结构和基底的连接结构及制备装置

权利要求书

1.一种多孔性表面结构和基底的连接结构，其特征在于，包含：

复合体，包含预先连接的多孔性表面结构与中间体；

基底，与所述中间体接触，所述中间体位于所述多孔性表面结构与所述基底之间；所述基底与所述复合体置于第一极性电极和第二极性电极之间，通过所述第一极性电极与所述多孔性表面结构和/或中间体导电接触，以及所述基底与第二极性电极导电接触，形成电流回路，使得所述中间体和所述基底进行电阻焊接，实现所述复合体与所述基底的连接。

2.如权利要求1所述的连接结构，其特征在于，

所述复合体中的多孔性表面结构称为第一多孔结构；

所述中间体是实心结构，或者，所述中间体是第二多孔结构并且所述第二多孔结构的孔隙率低于所述第一多孔结构的孔隙率。

3.如权利要求1所述的连接结构，其特征在于，

基底、多孔性表面结构、中间体由导电材料制成。

4.如权利要求1或2所述的连接结构，其特征在于，

所述中间体包含中间板结构。

5.如权利要求4所述的连接结构，其特征在于，

所述中间板结构上设置多个凸起结构，所述凸起结构设置在所述中间板结构上靠近所述基底的一侧，所述凸起结构的凸点与所述基底接触。

6.如权利要求1或2所述的连接结构，其特征在于，

所述中间体是所述第二多孔结构，所述第二多孔结构包含多个凸起结构，所述凸起结构形成在所述第二多孔结构上靠近所述基底的一侧，所述凸起结构的凸点与所述基底接触。

7.如权利要求1或2所述的连接结构，其特征在于，

所述中间体包含若干个分散布置的凸起结构，形成在所述多孔性表面结构靠近基底的一侧，所述凸起结构的凸点与所述基底接触。

8.如权利要求1～7中任意一项所述的连接结构，其特征在于，

所述中间体包含若干支撑柱，每个支撑柱的全部或至少部分位于多孔性表面结构内。

9.如权利要求8所述的连接结构，其特征在于，

所述中间体的支撑柱与所述中间体的凸起结构对应布置并接触，或所述中间体的支撑柱与所述中间体的凸起结构错位分布且不接触。

10.如权利要求8所述的连接结构，其特征在于，

所述支撑柱的远离基底一侧的表面超出所述多孔性表面结构的表面；

或者，所述支撑柱的远离基底一侧的表面低于所述多孔性表面结构的表面；

或者，所述支撑柱的远离基底一侧的表面与所述多孔性表面结构的表面平齐。

11.如权利要求10所述的连接结构，其特征在于，

所述支撑柱的远离基底一侧的表面超出所述多孔性表面结构的表面时，在电阻焊完成后，切割所述支撑柱超出所述多孔性表面结构的部分。

12.如权利要求9～11中任意一项所述的连接结构，其特征在于，

所述支撑柱位于所述多孔性表面结构的预制空隙内，所述支撑柱开设凹槽，用于放置所述第一极性电极中的多个电极单体，插入后的电极单体与所述支撑柱导电接触；

所述支撑柱的表面超出或平齐于或低于所述多孔性表面结构的表面，所述支撑柱为多孔结构或实心结构。

13.如权利要求9～11中任意一项所述的连接结构，其特征在于，

所述支撑柱的远离基底一侧的表面超出所述多孔性表面结构的表面时：所述支撑柱为多段结构，至少包含超出所述多孔性表面结构的第一段部分和剩余的第二段部分；

所述第一段部分为多孔结构；

所述第二段部分为多孔结构或实心结构，所述第二段部分上远离基底一侧的表面平齐于所述多孔性表面结构的表面，使得第一段部分因与第一极性电极接触生热导致所述支撑柱下沉至所述第二段部分的远离基底一侧的表面。