[发明专利]阈值可塑的人工神经元电路有效

专利信息
申请号: 201911393826.8 申请日: 2019-12-30
公开(公告)号: CN111210013B 公开(公告)日: 2023-04-07
发明(设计)人: 李辛毅;钱鹤;吴华强;高滨;唐建石 申请(专利权)人: 清华大学
主分类号: G06N3/063 分类号: G06N3/063
代理公司: 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 代理人: 石茵汀
地址: 10008*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 阈值 可塑 人工 神经元 电路
【权利要求书】:

1.一种阈值可塑的人工神经元电路,其特征在于,包括:累加模块、阈值发放模块和阈值调节模块,其中,

所述累加模块与所述阈值发放模块连接,用于累积突触产生的信号,并将所述信号发送给所述阈值发放模块;所述阈值发放模块用于接收所述累加模块的信号,并比较所述信号与预设阈值的大小,若所述信号大于预设阈值时,则神经元被激活,若所述信号小于所述预设阈值时,则神经元未被激活;所述阈值调节模块与所述阈值发放模块连接,用于根据学习算法调节所述预设阈值的大小;

其中,所述阈值发放模块为阈值开关型忆阻器或比较器,所述阈值调节模块利用所述学习算法对神经元进行训练,以调节非挥发忆阻器的阻值,改变所述预设阈值的大小,公式如下:

Vth=Vin*[RN/(RN+RH)]

其中,Vth为阈值电压,RN为阈值开关型忆阻器电阻,RH为非挥发忆阻器电阻,Vin为输入的信号。

2.根据权利要求1所述的阈值可塑的人工神经元电路,其特征在于,所述阈值开关型忆阻器包括Mott型器件、导电细丝型阈值开关器件和硫族元素基的相变材料阈值开关型器件。

3.根据权利要求1所述的阈值可塑的人工神经元电路,其特征在于,所述非挥发忆阻器包括氧空位导电细丝型忆阻器和金属离子导电细丝型忆阻器。

4.根据权利要求1所述的阈值可塑的人工神经元电路,其特征在于,若所述阈值发放模块采用阈值开关型忆阻器,则所述阈值开关型忆阻器与所述阈值调节模块的非挥发忆阻器连接,通过所述信号调节所述预设阈值的大小。

5.根据权利要求1所述的阈值可塑的人工神经元电路,其特征在于,若所述阈值发放模块采用比较器,则所述阈值调节模块的非挥发忆阻器与电阻连接,所述电阻与所述比较器连接,通过所述信号和所述电阻的分压调节所述预设阈值的大小。

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