[发明专利]引入牺牲层的阳极氧化铝薄膜牢固金属纳米颗粒的方法

权利要求书

1.一种通过引入牺牲层的阳极氧化铝薄膜制备牢固金属纳米颗粒的方法，其特征在于，包括以下步骤：

在衬底上旋涂或蒸镀牺牲层，加热固化；

将阳极氧化铝薄膜转移到所述牺牲层上；

以阳极氧化铝薄膜为模板，刻蚀牺牲层；

在上述步骤得到的衬底上蒸镀粘附层和金属层；去除阳极氧化铝薄膜；

去除牺牲层，最终在所述衬底上形成牢固金属纳米颗粒阵列。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述衬底选自硅、石英或聚合物衬底。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述牺牲层选自光刻胶、PMMA、parylene和SU-8 1010，牺牲层厚度为60～100nm，所述加热固化温度为牺牲层的玻璃化温度。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述阳极氧化铝薄膜，膜厚为100～250nm，直径为50～400nm，周期为65～450nm。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述阳极氧化铝薄膜转移在丙酮溶液中进行，或者先在丙酮溶液中溶解支撑阳极氧化铝薄膜的PMMA，再在去离子水中将阳极氧化铝膜转移至牺牲层上。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述刻蚀牺牲层的方法为打氧等离子体或反应离子刻蚀工艺；刻蚀厚度为将牺牲层刻穿至衬底层。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述粘附层和金属层厚度分别为1～5nm和30～60nm。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，去除阳极氧化铝薄膜的步骤通过使用高温胶带或3M隐形胶带来实现。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，去除牺牲层的步骤通过采用打氧等离子体或气体刻蚀来实现。

10.一种通过如权利要求1～9任一项所述的牢固金属纳米颗粒的方法形成的牢固金属纳米颗粒阵列。