[发明专利]垂直存储器件

说明书

一种存储器件，包括：衬底；相对于衬底垂直取向的位线；相对于衬底垂直取向的板线；以及存储单元，被提供有按照横向布置置于位线与板线之间的晶体管和电容器，其中该晶体管包括：有源层，其在位线和电容器之间横向取向为平行于衬底；以及线形下字线和线形上字线，其与它们之间的有源层垂直地层叠以及取向为与有源层相交。

相关申请的交叉引用

本申请要求2019年2月28日向韩国知识产权局提交的申请号为10-2019-0024083的韩国申请的优先权，其通过引用整体合并于此。

技术领域

本发明的各种实施例总体上涉及一种半导体器件，更具体地，涉及一种存储器件。

背景技术

近来，存储单元的尺寸持续减小以增多存储器件的净裸片。

随着存储单元尺寸的小型化，在增大电容的同时寄生电容必须减小。然而，由于存储单元的结构限制，难以增多净裸片。

发明内容

本发明的实施例针对高度集成的垂直存储单元阵列，以及包括该高度集成的垂直存储单元阵列的存储器件。

该存储器件可以表现出增大的存储单元密度。该存储器件可以表现出减小的寄生电容。

根据本发明的实施例，一种存储器件包括：衬底；相对于衬底垂直取向的位线；相对于衬底垂直取向的板线；以及存储单元，其提供有按照横向布置置于位线与板线之间的晶体管和电容器，其中，该晶体管包括：有源层，在位线和电容器之间横向取向为与衬底平行；线形下字线和线形上字线，在有源层之间垂直地层叠以及取向为与有源层相交。

在根据本发明的另一实施例，一种存储器件包括：衬底；相对于衬底垂直取向的位线；相对于衬底垂直取向的板线；在位线和板线之间沿垂直于衬底的方向层叠的多个存储单元，其中存储单元中的每个包括：晶体管，被提供有在位线和板线之间横向取向为与衬底平行的有源层，以及被提供有线形字线对，线形字线对与它们之间的有源层垂直地层叠并且延伸而与有源层相交；电容器，被提供有在晶体管和板线之间的横向取向为与衬底平行的筒形第一节点、第二节点以及在筒形第一节点和第二节点之间的电介质材料。

附图说明

图1示出了根据本发明实施例的存储器件的等效电路图。

图2示出了共享图1的板线的镜状结构的立体图。

图3示出了图2所示的镜状结构的等效电路图。

图4示出了共享图1所示的位线的镜状结构的立体图。

图5示出了图1所示的存储器件的截面图。

图6示出了图1所示的存储器件的平面图。

图7示出了存储单元的细节的立体图。

图8是沿图7的A1-A1′方向截取的截面图。

图9是沿图7的A2-A2′方向截取的平面图。

图10是电容器的详细立体图。

图11A至图11C示出了根据本发明的另一实施例的具有三维结构的电容器的第一节点的视图。

图12A与图12B示出了根据本发明的另一实施例的存储器件的视图。

具体实施方式

下面将参考附图更详细地描述本发明的各种实施例。然而，本发明可以以不同的形式实施，并且不应被解释为限于这里阐述的实施例。而是，提供这些实施例以使得本公开将是透彻和完整的，并将向本领域技术人员充分传达本发明的范围。贯穿本公开，在本发明的各个附图和实施例中，相同的附图标记指代相同的部分。