[发明专利]一种具有窄的荧光发射峰半峰宽的荧光碳点及其制备方法

权利要求书

1.一种具有窄的荧光发射峰半峰宽的荧光碳点的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：将平面共轭大环类化合物分散至溶剂中，在120-250℃下反应6-48h，过滤、纯化得到具有窄的荧光发射峰半峰宽的荧光碳点；

所述平面共轭大环类化合物选自酞菁、氨基酞菁、苯氧基酞菁、羧基酞菁、双层酞菁、萘酞菁、磺酸基酞菁、卟啉、氨基卟啉、磺酸基卟啉、羧基卟啉、苯氧基卟啉、噻吩或氨基噻吩、酞菁锡、酞菁铅。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述制备方法还包括将平面大环化合物分散至溶剂中时，同时将助剂也分散至溶剂中的步骤；所述助剂选自强氧化剂、无机碱或无机酸。

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述助剂选自高锰酸钾、重铬酸钾、高碘酸钾、高碘酸、硝酸、硫酸、磷酸、盐酸、氢氧化钠、氢氧化钾、碳酸氢钠或氨水中的一种。

4.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述平面共轭大环类化合物与助剂的质量比为1:1 - 30。

5.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述溶剂选自水、N，N-二甲基甲酰胺、甲醇、乙醇、四氢呋喃、丙酮、吡啶、乙腈、二甲基亚砜或甲酰胺。

6.一种如权利要求1-5所述具有窄的荧光发射峰半峰宽的荧光碳点的制备方法制备得到的荧光碳点，其特征在于，所述荧光碳点的荧光发射峰的半峰宽为15 - 100 nm，所述荧光碳点的荧光发射峰位于500 - 1000 nm之间，所述荧光碳点的绝对量子效率为2-80 %。

7.根据权利要求6所述的荧光碳点，其特征在于，所述荧光碳点的荧光发射峰的半峰宽为15 - 30 nm，所述荧光碳点的荧光发射峰位于600 - 800 nm之间。

8.根据权利要求6所述的荧光碳点，其特征在于，所述荧光碳点具有单层或多层石墨烯结构，其粒径为1-10nm。