[发明专利]一种用于去除陶瓷产品表面颗粒的方法有效
申请号: | 201911395287.1 | 申请日: | 2019-12-30 |
公开(公告)号: | CN111393189B | 公开(公告)日: | 2022-04-01 |
发明(设计)人: | 占克文;姚相民;马玉琦;高凯 | 申请(专利权)人: | 杭州大和江东新材料科技有限公司 |
主分类号: | C04B41/91 | 分类号: | C04B41/91;C04B41/80 |
代理公司: | 杭州杭诚专利事务所有限公司 33109 | 代理人: | 尉伟敏 |
地址: | 311200 浙江省杭州市*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 用于 去除 陶瓷产品 表面 颗粒 方法 | ||
本发明公开了一种用于去除陶瓷产品表面颗粒的方法,包括以下步骤:a退火前准备;b.正式退火:窑车入炉后,选择退火程序,点火运行,所述退火程序包括步骤b1,步骤b1和步骤b1;b1:将炉内温度升高到最高温度1000~1005℃;b2:在最高温度保温30~40分钟小时后开始降温;b3:降温速率为10~20℃/hr,并在900℃~800℃范围内的至少一个温度保温30~40分钟,降温结束温度为100~250℃;c.完成退火:将陶瓷件从炉内取出。本发明提供了一种用于去除陶瓷产品表面颗粒的方法,可以大幅降低了氧化铝陶瓷的表面颗粒数量,提升了产品品质。
技术领域
本发明涉及陶瓷领域,尤其是涉及一种用于去除陶瓷产品表面颗粒的方法。
背景技术
氧化铝陶瓷(alumina ceramics)是一种以α- Al2O3为主晶的陶瓷材料。其具有高强度、高耐磨、高绝缘、耐腐蚀的性能特点,广泛应用于半导体、LED、医疗、新能源及航空航天等领域。在半导体行业中,氧化铝陶瓷通常作为硅晶圆片的承载材料用于各种刻蚀腔体中。由于直接与晶圆片接触,氧化铝陶瓷的表面洁净度对硅晶圆片的质量具有非常大的影响。氧化铝陶瓷在传统的制成工艺中,其表面会生成大量的微观氧化铝颗粒物,颗粒直径通常在0.1∼10um之间。当氧化铝陶瓷与硅晶圆片接触时,这些颗粒物容易粘附到硅晶圆片上,造成杂质污染,影响硅晶圆片的质量。
发明内容
本发明为解决传统氧化铝陶瓷制成工艺中,表面产生的大量微观颗粒物的问题,提出了一种用于去除陶瓷产品表面颗粒的方法,可以大幅降低了氧化铝陶瓷的表面颗粒数量,提升了产品品质。
为了实现上述目的,本发明采用以下技术方案:
一种用于去除陶瓷产品表面颗粒的方法,包括以下步骤:
a1.酸化处理:将加工好的陶瓷部件浸入一定比例配置的酸液中,浸泡1∼2小时,取出后用纯水清洗干净;
a2. 碱化处理:将陶瓷部件浸入一定比例配置的碱液中,浸泡1∼2小时,取出后用纯水清洗干净;
a3. 超声波处理:将陶瓷部件放进清洗篮,再一起放入超声波洗净槽中,确保零件的所有表面均与槽内纯水充分接触,打开超声波,洗净5∼10分钟后取出,用纯水冲淋产品表面3次以上后吹干备用;
a4.退火前准备:将陶瓷件放置于退火台板治具上,然后装载至窑车中;
b.正式退火:窑车入炉后,选择退火程序,点火运行,所述退火程序包括步骤b1,步骤b1和步骤b1;
b1:将炉内温度升高到最高温度1000~1005℃;
b2:在最高温度保温30~40分钟小时后开始降温;
b3:降温速率为10~20℃/hr,并在900℃~800℃范围内的至少一个温度保温30~40分钟,降温结束温度为100~250℃;
c.完成退火:将陶瓷件从炉内取出。
上述技术方案中,温度控制精度为±2℃;酸液配比:HF:HNO3=1:2~4,其中HF浓度为10∼20%,HNO3浓度为30∼40%;碱液配比:NaOH:H2O2=1:2~4。使用上述退火方法进行自备时,防尘、防风,无强腐蚀性物质、无毒性物质、无对环境造成污染物质产生,均需符合环保要求。与现有技术相比,本方法制备的氧化铝陶瓷产品,表面颗粒数量大幅降低,提升了产品品质。
作为优选,所述退火程序中,炉内的起始升温温度为0~25℃。所述起始升温温度容易达到。
作为优选,所述退火程序中,炉内的升温速率为20~30℃/hr,并在600℃~800℃范围内的至少一个温度保温20~30分钟。保证一定的升温速率,在升温过程就对陶瓷产品的表面质量进行控制,同时保证一定的升温速率,保证生产效率。
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