[发明专利]一种半导体器件及其制作方法有效
| 申请号： | 201911395825.7 | 申请日： | 2019-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN113130646B | 公开（公告）日： | 2023-05-02 |
| 发明（设计）人： | 何乃龙;张森 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/08;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 高伟 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制作方法 | ||
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：
半导体衬底，所述半导体衬底中形成有第一漂移区；
所述半导体衬底上形成有栅极结构，所述栅极结构的一部分覆盖所述第一漂移区的一部分；
所述第一漂移区内形成有第一凹槽，所述第一凹槽的整个底部的半导体衬底中形成有漏区。
2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，还包括：
源区，所述源区与所述漏区分别设置在所述栅极结构的两侧。
3.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，源区设置在所述半导体衬底的表面。
4.如权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，还包括：
第二漂移区，所述第二漂移区位于所述半导体衬底中，所述第二漂移区与所述第一漂移区分别设置在所述栅极结构的两侧，所述栅极结构的一部分覆盖所述第二漂移区的一部分。
5.如权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，所述第二漂移区内形成有第二凹槽，所述第二凹槽底部的半导体衬底中形成有所述源区。
6.如权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，还包括：
隔离结构，所述隔离结构设置在所述漏区和所述源区的外侧。
7.如权利要求6所述的半导体器件，其特征在于，所述隔离结构包括沟槽隔离结构或局部硅氧化隔离。
8.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供半导体衬底，在所述半导体衬底中形成第一漂移区；
在所述半导体衬底上形成栅极结构，所述栅极结构的一部分覆盖所述第一漂移区的一部分；
蚀刻所述第一漂移区，以在所述第一漂移区内形成第一凹槽；
执行离子注入，以在所述第一凹槽的整个底部的半导体衬底中形成漏区。
9.如权利要求8所述的制作方法，其特征在于，还包括：
执行离子注入，以在所述半导体衬底的表面形成源区。
10.如权利要求8所述的制作方法，其特征在于，还包括：
在所述半导体衬底中形成第二漂移区，所述第二漂移区与所述第一漂移区分别设置在所述栅极结构的两侧，所述栅极结构的一部分覆盖所述第二漂移区的一部分；
蚀刻所述第二漂移区，以在所述第二漂移区内形成第二凹槽；
执行离子注入，以在所述第二凹槽底部的半导体衬底中形成源区。
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