[发明专利]复合材料及其制备方法、薄膜和光伏器件

权利要求书

1.一种复合材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

将AgInS₂量子点和二氧化钛纳米颗粒在非配位溶剂中进行混合，获得混合液；其中，所述AgInS₂量子点和所述二氧化钛纳米颗粒的重量比为(5-15):100；

去除所述混合液中的溶剂，获得所述复合材料。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述混合液中，所述二氧化钛纳米颗粒的浓度为15-50mg/mL，所述AgInS₂量子点的浓度为15-50mg/mL；和/或

所述二氧化钛纳米颗粒的粒径为15-50nm，且所述AgInS₂量子点的粒径为2-10nm。

3.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，将AgInS₂量子点和二氧化钛纳米颗粒在非配位溶剂中进行混合的步骤包括：

将AgInS₂量子点分散在第一溶剂中，制备AgInS₂量子点溶液；

将二氧化钛纳米颗粒分散在第二溶剂中，制备二氧化钛纳米颗粒溶液；

将所述AgInS₂量子点溶液和所述二氧化钛纳米颗粒溶液进行混合；

其中，所述第一溶剂与所述第二溶剂相同或不相同，且所述第一溶剂和所述第二溶剂为非配位溶剂。

4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述AgInS₂量子点的制备方法包括以下步骤：

提供溶解有银盐和铟盐的第一溶液以及溶解有硫前驱体的第二溶液；在搅拌状态下，将所述第一溶液加入所述第二溶液中或者将所述第二溶液加入所述第一溶液中，进行反应，获得AgInS₂量子点前驱体；

在惰性气体气氛下，将所述AgInS₂量子点前驱体进行煅烧处理，粉碎，获得AgInS₂粉末；

将所述AgInS₂粉末和巯基配体在非配位溶剂中进行混合，离心处理，得到所述AgInS₂量子点。

5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述硫前驱体选自二乙基二硫代氨基甲酸盐和/或二甲基二硫代氨基甲酸盐；和/或

将所述第一溶液加入所述第二溶液的步骤中，所述银盐的银原子与所述硫前驱体的硫原子的摩尔比为1:(3.5-5.0)，所述银盐的银原子与所述铟盐的铟原子的摩尔比为1:(0.7-0.9)。

6.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，将所述AgInS₂量子点前驱体进行煅烧处理的步骤中，将所述AgInS₂量子点前驱体在180℃-250℃下煅烧30-60min；和/或将所述AgInS₂粉末和巯基配体在非配位溶剂中进行混合的步骤中，所述AgInS₂粉末和所述巯基配体的重量比为100:(10-50)。

7.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，所述非配位溶剂选自甲苯、苯、二甲苯、四氢呋喃、二氯乙烷、二氯甲烷、正己烷、环己烷、氯仿、四氯化碳、正辛烷和乙醇中的至少一种。

8.一种复合材料，其特征在于，包括复合的AgInS₂量子点和二氧化钛纳米颗粒，所述AgInS₂量子点和所述二氧化钛纳米颗粒的重量比为(5-15):100。

9.根据权利要求8所述的复合材料，其特征在于，所述二氧化钛纳米颗粒的粒径为15-50nm，且所述AgInS₂量子点的粒径为2-10nm；和/或

所述AgInS₂量子点的表面修饰有巯基配体。