[发明专利]一种量子点发光二极管及其制备方法、显示装置

说明书

本发明公开了一种量子点发光二极管及其制备方法、显示装置，其中，所述量子点发光二极管包括包括阴极、阳极以及设置在所述阴极和阳极之间的量子点发光层，所述阳极和量子点发光层之间设置有空穴功能层，所述空穴功能层包括层叠设置的空穴注入层和空穴传输层，所述空穴注入层靠近阳极设置，所述空穴传输层靠近量子点发光层设置，所述空穴注入层包括层叠设置的第一过渡金属氧化物薄膜、过渡金属硫化物薄膜以及第二过渡金属氧化物薄膜，所述第一过渡金属氧化物薄膜靠近所述阳极设置，所述第二过渡金属氧化物薄膜靠近所述空穴传输层设置。本发明提供空穴注入层可大大增强空穴注入能力，提高电子和空穴复合几率，提高了QLED器件的发光效率。

技术领域

本发明涉及量子点领域，尤其涉及一种量子点发光二极管及其制备方法、显示装置。

背景技术

量子点发光二极管(QLED)具有色纯度高、发光效率高、发光颜色可调以及器件稳定等良好的特点，使得其在平板显示、固态照明等领域具有广泛的应用前景。通过对量子点材料的改进以及QLED器件结构的不断优化，使得现有QLED的性能(包括器件效率和寿命)得到了大幅度的提高，但是其效率与产业化生产的要求还相差较远。

载流子的注入不平衡是影响QLED的器件效率的一个主要原因,即空穴注入效率相比电子注入效率普遍偏低，导致量子点中注入电荷不平衡，量子点呈现非电中性。目前空穴注入层多采用聚(3,4-亚乙二氧基噻吩)-聚(苯乙烯磺酸)(Poly(3,4-ethylenedioxythiophene)-Poly(styrenesulfonate)，PEDOT:PSS)，但PEDOT:PSS呈弱酸性，极易腐蚀ITO电极，且能够吸收空气中的湿气，导致器件寿命降低。过渡金属氧化物(Transition Metal Oxides，TMOs)，如MoO₃,WO₃等，具有较高的功函数，常在光电器件中被用作空穴注入层，但是空穴注入效率相比电子注入效率仍普遍偏低。

二维过渡金属硫属化物(2D TMDs，Two-dimensional transition metaldichalcogenide)包括MoS₂、WS₂、TaS₂、MoSe₂、WSe₂、TaSe₂等，因为其材料所具备的新颖的层状结构和独特的电学以及光学性质，已经引起了学术界广泛的关注。TMDs具有较高的载流子迁移率和良好的导电性，使得TMDs材料在光电器件中的应用具有十分广阔的前景。但是在电致发光器件中，作为空穴注入材料，MoS₂、WS₂等材料的空穴注入能力还不令人满意。

因此，现有技术还有待于改进。

发明内容

鉴于上述现有技术的不足，本发明的目的在于提供一种量子点发光二极管及其制备方法、显示装置，旨在解决由于现有量子点发光二极管发光效率低的问题。

本发明的技术方案如下：

一种量子点发光二极管，包括阴极、阳极以及设置在所述阴极和阳极之间的量子点发光层，其中，所述阳极和量子点发光层之间设置有空穴功能层，所述空穴功能层包括层叠设置的空穴注入层和空穴传输层，所述空穴注入层靠近所述阳极设置，所述空穴传输层靠近所述量子点发光层设置，所述空穴注入层包括层叠设置的第一过渡金属氧化物薄膜、过渡金属硫化物薄膜以及第二过渡金属氧化物薄膜，所述第一过渡金属氧化物薄膜靠近所述阳极设置，所述第二过渡金属氧化物薄膜靠近所述空穴传输层设置。

一种显示装置，其中，包括本发明所述的量子点发光二极管。

一种量子点发光二极管的制备方法，其中，包括步骤：

提供一种阳极基板，在所述阳极基板上制备第一过渡金属氧化物薄膜；

在所述第一过渡金属氧化物薄膜表面制备过渡金属硫化物薄膜；