[发明专利]一种显示面板及其制备方法、显示装置有效
申请号: | 201911397181.5 | 申请日: | 2019-12-30 |
公开(公告)号: | CN111028693B | 公开(公告)日: | 2022-03-22 |
发明(设计)人: | 蔡雨 | 申请(专利权)人: | 武汉天马微电子有限公司 |
主分类号: | G09F9/30 | 分类号: | G09F9/30;G09F9/302 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 孟金喆 |
地址: | 430205 湖北省武汉市*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 显示 面板 及其 制备 方法 显示装置 | ||
1.一种显示面板,其特征在于,包括衬底基板,位于所述衬底基板一侧的像素单元和驱动电路,所述显示面板包括第一显示区和第二显示区;
所述第一显示区包括多个第一像素单元,所述第二显示区包括多个第二像素单元,所述第一像素单元的像素单元密度小于所述第二像素单元的像素单元密度;
第一显示区还包括多个第一驱动电路,所述第一驱动电路与所述第一像素单元电连接;所述第二显示区还包括多个第二驱动电路,所述第二驱动电路与所述第二像素单元电连接;
所述第一驱动电路包括第一驱动晶体管和至少一个第一附加晶体管,所述第二驱动电路包括第二驱动晶体管和第二附加晶体管,所述第一驱动电路中所述第一附加晶体管的数量小于所述第二驱动电路中所述第二附加晶体管的数量,且所述第一驱动晶体管的沟道区在所述衬底基板上的正投影面积小于所述第二驱动晶体管的沟道区在所述衬底基板上的正投影面积;
所述第一显示区至少包括单晶硅晶体管,所述第二显示区包括多晶硅晶体管;
所述第一驱动晶体管包括单晶硅晶体管,所述第一附加晶体管包括多晶硅晶体管;
所述第一驱动晶体管包括第一输入电极、第一输出电极、第一控制电极以及电压信号接收端子、控制信号接收端子和阳极连接端子;所述电压信号接收端子与所述第一输入电极电连接,所述控制信号接收端子与所述第一控制电极电连接,所述阳极连接端子与所述第一输出电极电连接;
所述显示面板还包括位于所述衬底基板一侧的电压信号线、扫描信号线、数据信号线和阳极,位于所述衬底基板一侧且位于所述第一显示区的第一附加晶体管、电压信号输出端子和控制信号输出端子;所述第一附加晶体管包括第二输入电极、第二输出电极和第二控制电极;
所述电压信号输出端子分别与所述电压信号线和所述电压信号接收端子电连接,所述控制信号输出端子分别与所述第二输出电极和所述控制信号接收端子电连接,所述扫描信号线与所述第二控制电极电连接,所述数据信号线与所述第二输入电极电连接,所述阳极与所述阳极连接端子电连接。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述电压信号输出端子和所述控制信号输出端子同层设置且设置于所述第一驱动晶体管远离所述阳极的一侧;
所述第一驱动晶体管设置于所述阳极与所述电压信号输出端子所在平面之间。
3.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第一驱动晶体管和所述第一附加晶体管包括单晶硅有源层,所述第二驱动晶体管和所述第二附加晶体管包括多晶硅有源层;
所述单晶硅有源层和所述多晶硅有源层异层设置。
4.根据权利要求3所述的显示面板,其特征在于,所述单晶硅有源层设置于所述多晶硅有源层远离所述衬底基板的一侧。
5.根据权利要求3所述的显示面板,其特征在于,所述单晶硅有源层设置于所述多晶硅有源层靠近所述衬底基板的一侧;
所述显示面板还包括遮光层,所述遮光层设置于所述单晶硅有源层与所述衬底基板之间,且所述遮光层在所述衬底基板所在平面上的垂直投影与所述单晶硅有源层在所述衬底基板所在平面上的垂直投影至少部分交叠。
6.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第一驱动晶体管和所述第一附加晶体管包括多晶硅晶体管;所述第二驱动晶体管和所述第二附加晶体管包括多晶硅晶体管;
所述第一驱动晶体管和所述第一附加晶体管包括第一多晶硅有源层,所述第二驱动晶体管和所述第二附加晶体管包括第二多晶硅有源层;所述第一多晶硅有源层的晶粒尺寸大于所述第二多晶硅有源层的晶粒尺寸;
所述第一多晶硅有源层和所述第二多晶硅有源层同层设置。
7.根据权利要求6所述的显示面板,其特征在于,所述第一多晶硅有源层的晶粒尺寸为D1,所述第二多晶硅有源层的晶粒尺寸为D2,其中,50μm≤D1≤5mm,10nm≤D2≤10μm。
8.根据权利要求6所述的显示面板,其特征在于,所述第一多晶硅有源层的电子迁移率为V,其中V≥500cm2/(V*s)。
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