[发明专利]一种高效散热半导体衬底及其制备方法

权利要求书

1.一种高效散热半导体衬底的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

在半导体基底背面沉积金刚石薄膜，然后在正面依次进行减薄和抛光，得到高效散热半导体衬底。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述半导体基底为GaAs基底、InP基底、GaSb基底、蓝宝石基底或Si基底。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述沉积前还包括将所述半导体基底进行预处理；所述预处理包括以下步骤：

将所述半导体基底依次在丙酮、异丙醇和水中进行超声清洗，然后进行等离子体清洗。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述金刚石薄膜的厚度为15～35μm。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述沉积的方法为微波等离子体化学气相沉积；所述微波等离子体化学气相沉积的生长气氛为氢气、甲烷和氧气，所述氢气的流量为300～500sccm，甲烷的流量为10～35sccm，氧气的流量为2～5sccm；所述微波等离子体化学气相沉积的时间为30～150min，生长温度为400～600℃，微波功率为3000～5000W。

6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述减薄具体为将半导体基底的厚度减薄至60～70μm。

7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述抛光具体为将半导体基底的厚度抛光至40～50μm，且抛光后基底表面的均方根粗糙度小于3nm。

8.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述抛光后还包括将抛光后的半导体基底进行后处理；所述后处理包括以下步骤：

将抛光后的半导体基底在甲苯中进行热处理，然后依次在丙酮、异丙醇和水中进行超声清洗，再使用氮气吹干。

9.权利要求1～8任意一项所述制备方法得到的高效散热半导体衬底。