[发明专利]具有碳基导电区的各向异性导电膜和相关的半导体组合件、系统和方法在审
申请号: | 201911397648.6 | 申请日: | 2019-12-30 |
公开(公告)号: | CN111384026A | 公开(公告)日: | 2020-07-07 |
发明(设计)人: | 仲野英一;M·E·塔特尔 | 申请(专利权)人: | 美光科技公司 |
主分类号: | H01L23/532 | 分类号: | H01L23/532;H01L23/528;H01L23/48;H01L21/768 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 王龙 |
地址: | 美国爱*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 导电 各向异性 相关 半导体 组合 系统 方法 | ||
1.一种各向异性导电膜,其包括:
离散区的图案,所述离散区相互横向地间隔至少一个预定间距,每个离散区包括导电碳基材料;以及
介电材料,其至少在所述离散区之间。
2.根据权利要求1所述的各向异性导电膜,其中所述导电碳基材料包括石墨烯。
3.根据权利要求1所述的各向异性导电膜,其中所述离散区进一步包括所述导电碳基材料的一或多个表面上的晶种材料。
4.根据权利要求3所述的各向异性导电膜,其中所述晶种材料包括镍或铜中的至少一种。
5.根据权利要求3所述的各向异性导电膜,其中所述晶种材料安置于所述导电碳基材料的侧壁上。
6.根据权利要求5所述的各向异性导电膜,其中所述晶种材料进一步安置于所述导电碳基材料的至少一个末端表面上。
7.根据权利要求1所述的各向异性导电膜,其中所述离散区由所述导电碳基材料组成。
8.根据权利要求1所述的各向异性导电膜,其中所述离散区中的至少一些各自界定所述导电碳基材料内的空隙空间。
9.根据权利要求1所述的各向异性导电膜,其中所述离散区不含铝、银和锡。
10.根据权利要求1所述的各向异性导电膜,其中所述离散区中的每一个延伸穿过所述各向异性导电膜的大部分高度。
11.根据权利要求1所述的各向异性导电膜,其中所述导电碳基材料呈现约10-6Ω·m或更小的电阻率。
12.根据权利要求1所述的各向异性导电膜,其进一步包括在所述离散区的末端上方延伸的粘着介电材料。
13.根据权利要求12所述的各向异性导电膜,其中至少在所述离散区之间的所述介电材料包括另一粘着介电材料。
14.根据权利要求13所述的各向异性导电膜,其中所述粘着介电材料和所述另一粘着介电材料具有相同组成物。
15.一种半导体装置组合件,其包括:
半导体裸片,其包括导电元件的图案;
另一半导体裸片,其包括叠置在所述半导体裸片上的导电元件的相同图案,其中所述图案对准;以及
各向异性导电膜,其在所述半导体裸片与所述另一半导体裸片之间,所述各向异性导电膜包括:
导电材料的相互离散区的阵列,其在至少一种介电材料的膜中,所述相互离散区由至少一个预定间距分离,所述导电材料主要包括碳基材料。
16.根据权利要求15所述的半导体装置组合件,其中所述阵列的所述离散区中的至少一个在所述半导体裸片的导电元件与所述另一半导体裸片的所对准导电元件正中间延伸。
17.根据权利要求15所述的半导体装置组合件,其中所述导电材料包括至少50at.%石墨烯。
18.根据权利要求17所述的半导体装置组合件,其中所述导电材料由石墨烯组成。
19.根据权利要求15所述的半导体装置组合件,其中所述碳基材料通过晶种材料横向地与所述至少一种介电材料的粘着材料间隔开。
20.根据权利要求15所述的半导体装置组合件,其中所述碳基材料界定空隙空间。
21.根据权利要求20所述的半导体装置组合件,其中所述空隙空间邻近所述碳基材料的下部表面。
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