[发明专利]一种单晶片的湿法清洗方法在审
| 申请号： | 201911397749.3 | 申请日： | 2019-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN113130290A | 公开（公告）日： | 2021-07-16 |
| 发明（设计）人： | 陈东强;徐海玉;任晓刚;彭洪修 | 申请（专利权）人： | 安集微电子科技（上海）股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京大成律师事务所 11352 | 代理人： | 李佳铭;王芳 |
| 地址： | 201201 上海市浦东新区华东路*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 晶片 湿法 清洗 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种单晶片的湿法清洗方法，包括，
(1)将待清洗晶片固定在旋转的夹盘上，所述待清洗晶片随夹盘同步旋转，向旋转的待清洗晶片表面喷射气体进行预处理，所述气体选自二氧化碳、氨气中的一种或多种；
(2)将所述预处理后的待清洗晶片进行清洗、漂洗以及干燥步骤。
2.如权利要求1所述的湿法清洗方法，其特征在于，
所述向旋转的待清洗晶片表面喷射的气体为二氧化碳气体。
3.如权利要求2所述的湿法清洗方法，其特征在于，
所述二氧化碳气体为纯度超过99.9％的电子级二氧化碳气体。
4.如权利要求1所述的湿法清洗方法，其特征在于，
向旋转的待清洗晶片表面喷射常温气体进行预处理。
5.如权利要求1所述的湿法清洗方法，其特征在于，
向旋转的待清洗晶片表面喷射温度范围为20～100℃的气体进行预处理。
6.如权利要求1所述的湿法清洗方法，其特征在于，
向旋转的待清洗晶片表面喷射气体进行预处理的时间大于1s。
7.如权利要求6所述的湿法清洗方法，其特征在于，
向旋转的待清洗晶片表面喷射气体进行预处理的时间为10s。
8.如权利要求1所述的湿法清洗方法，其特征在于，
所述气体的流速为1～20L/min。
9.如权利要求8所述的湿法清洗方法，其特征在于，
所述气体的流速为5L/min。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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