[发明专利]光刻缺陷修复方法以及半导体器件的制作方法在审
| 申请号： | 201911398944.8 | 申请日： | 2019-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN111199876A | 公开（公告）日： | 2020-05-26 |
| 发明（设计）人： | 伍强;李艳丽;杨渝书 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;G03F1/72;G03F1/82 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 光刻 缺陷 修复 方法 以及 半导体器件 制作方法 | ||
1.一种光刻缺陷修复方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供一半导体结构，且所述半导体结构包括衬底、位于所述衬底上方的硬掩模层以及位于所述硬掩模层上方的图形化的光刻胶层，所述图形化的光刻胶层具有光刻缺陷；
以所述图形化的光刻胶层为掩模，刻蚀所述硬掩模层以形成图形化的硬掩模层，所述图形化的硬掩模层中具有对应所述缺陷的硬掩模缺陷；
去除图形化的光刻胶层，并在所述图形化的硬掩模层和所述衬底上覆盖具有流动性的有机碳层，所述有机碳层还流动到所述图形化的硬掩模层的缺陷处；
烘焙所述有机碳层，使所述有机碳层交联；以及，
除去多余的有机碳层，以形成所述硬掩模缺陷被修复后的图形化的硬掩模层。
2.如权利要求1所述的光刻缺陷修复方法，其特征在于，所述光刻缺陷包括桥接缺陷、断线缺陷和裂缝缺陷中的至少一种。
3.如权利要求2所述的光刻缺陷修复方法，其特征在于，当所述光刻缺陷包括桥接缺陷时，在以所述图形化的光刻胶层为掩模，刻蚀所述硬掩模层之前，先去除所述桥接缺陷。
4.如权利要求3所述的光刻缺陷修复方法，其特征在于，所述去除所述桥接缺陷的方法包括刻蚀。
5.如权利要求2所述的光刻缺陷修复方法，其特征在于，当所述光刻缺陷包括断线缺陷和/或裂缝缺陷时，在覆盖所述有机碳层的步骤中，所述有机碳层会填满所述图形化的硬掩模层中对应所述断线缺陷和/或裂缝缺陷的硬掩模缺陷；在除去多余的所述有机碳层的步骤中，会去除所述硬掩模缺陷以外的有机碳层。
6.如权利要求1所述的光刻缺陷修复方法，其特征在于，所述图形化的光刻胶层的形成方法包括EUV光刻。
7.如权利要求1所述的光刻缺陷修复方法，其特征在于，在所述图形化的硬掩模层和所述衬底上覆盖具有流动性的有机碳层的方法包括旋涂或气雾喷洒。
8.如权利要求1所述的光刻缺陷修复方法，其特征在于，烘焙所述有机碳层的温度为150℃～250℃，时间为1min～2min。
9.权利要求1所述的光刻缺陷修复方法，其特征在于，所述有机碳层与所述硬掩模层的亲水能力相匹配。
10.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括：
采用权利要1～9中任一项所述的光刻缺陷修复方法，在一衬底上形成硬掩模缺陷被修复后的图形化的硬掩模层；以及
以所述图形化的硬掩模层为掩模，刻蚀所述衬底，以在所述衬底中形成所需的图形。
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