[发明专利]封装结构的制造方法

说明书

一种封装结构的制造方法，包括：提供器件晶圆和晶圆级覆盖基板，器件晶圆和晶圆级覆盖基板通过位于两者之间的键合层相结合，器件晶圆包括多个半导体芯片，半导体芯片包括有源区和输入/输出电极区，半导体芯片、键合层以及晶圆级覆盖基板在有源区位置处围成空腔，输入/输出电极位于空腔外侧，晶圆级覆盖基板的材料为铌酸锂或钽酸锂；利用软刀对相邻半导体芯片之间的晶圆级覆盖基板进行切割处理，形成与半导体芯片一一对应的芯片级覆盖基板，芯片级覆盖基板侧壁与芯片级覆盖基板背向器件晶圆的表面的夹角呈钝角；形成互连层，保形覆盖输入/输出电极表面、键合层和芯片级覆盖基板的侧壁和芯片级覆盖基板的部分顶面。本发明提高了封装结构的良率。

技术领域

本发明实施例涉及半导体制造领域，尤其涉及一种封装结构的制造方法。

背景技术

在半导体器件中，部分器件的有源区需要提供空腔环境以保证正常工作，因此，器件制备或封装过程中，相应需要在器件的有源区形成空气隙，例如滤波器、MEMS器件等。

以滤波器中的声表面波(surface acoustic wave，SAW)滤波器为例，SAW滤波器是利用压电效应和声表面波传播的物理特性制成的滤波专用器件。在SAW滤波器中，信号经过电-声-电的两次转换，从而实现选频特性。SAW滤波器具有工作频率高、制造工艺简单、制造成本低、频率特性一致性高等优点，其应用领域从最开始的军用雷达发展至今几乎遍及整个无线电通讯，特别是随着移动通讯技术的高速发展，更进一步地推动了SAW技术的发展。

在目前SAW滤波器的封装过程中，至少要用到上盖，即利用上盖将SAW滤波器芯片封住，从而在SAW滤波器的有源区形成空气隙。

发明内容

本发明实施例解决的问题是提供一种封装结构的制造方法，在降低工艺难度的同时，提高封装结构的良率。

为解决上述问题，本发明实施例提供一种封装结构的制造方法，包括：提供器件晶圆和晶圆级覆盖基板，所述器件晶圆和晶圆级覆盖基板通过位于两者之间的键合层相结合，所述器件晶圆包括多个半导体芯片，所述半导体芯片包括有源区和输入/输出电极区，所述半导体芯片、键合层以及晶圆级覆盖基板在所述有源区的位置处围成空腔，所述输入/输出电极区的输入/输出电极位于所述空腔的外侧，其中，所述晶圆级覆盖基板的材料为铌酸锂或钽酸锂；利用软刀对相邻所述半导体芯片之间的所述晶圆级覆盖基板进行切割处理，形成多个分立的且与所述半导体芯片一一对应的芯片级覆盖基板，所述芯片级覆盖基板露出所述输入/输出电极区的输入/输出电极，且所述芯片级覆盖基板的侧壁与所述芯片级覆盖基板背向所述器件晶圆的表面的夹角呈钝角；形成互连层，所述互连层保形覆盖所述输入/输出电极区的输入/输出电极、所述键合层和芯片级覆盖基板的侧壁、以及所述芯片级覆盖基板的部分顶面。

本发明实施例还提供一种封装结构的制造方法，包括：提供器件晶圆和晶圆级覆盖基板，所述器件晶圆和晶圆级覆盖基板通过位于两者之间的键合层相结合，所述器件晶圆包括多个半导体芯片，所述半导体芯片包括有源区和输入/输出电极区，所述半导体芯片、键合层以及晶圆级覆盖基板在所述有源区的位置处围成空腔，所述输入/输出电极区的输入/输出电极位于所述空腔的外侧，其中，所述器件晶圆的衬底的材料为铌酸锂或钽酸锂；利用软刀对相邻所述半导体芯片交界处的所述器件晶圆进行切割处理，在所述器件晶圆中形成互连开口，所述互连开口露出相邻所述半导体芯片的所述输入/输出电极区的输入/输出电极，且所述互连开口的侧壁与所述器件晶圆背向所述晶圆级覆盖基板的表面的夹角呈钝角；形成互连层，所述互连层保形覆盖所述互连开口露出的所述输入/输出电极区的输入/输出电极的表面、所述互连开口的侧壁、以及所述器件晶圆背向所述晶圆级覆盖基板的部分表面。

与现有技术相比，本发明实施例的技术方案具有以下优点：