[发明专利]一种RFID抗干扰解调器

说明书

本发明公开了一种RFID抗干扰解调器，包括包络提取电路、低通滤波电路、双输出射随器、迟滞比较器，由包络提取电路外接RFID标签天线，提取出射频调幅信号的包络信号，经过低通滤波器滤除高频信号成分，将包络信号提供给双输出射随器，由双输出射随器产生互补信号，经迟滞比较器处理输出解调信号。具有低功耗、高灵敏度、抗干扰能力强的特点。

技术领域

本发明涉及电子设备技术领域，尤其涉及一种RFID抗干扰解调器。

背景技术

随着RFID电子标签(射频识别技术)在智能交通、网联网、门禁安全等领域应用越来越广泛，对RFID标签性能的要求也不断提高。

目前RFID电子标签中的解调器普遍采取将包络信号与参考电平经比较器处理的方式进行解调，参考电平取包络信号高电平的一定比例值；但是在干扰信号强度过高的时候就会出现参考电平(高电平的一定比例值)低于包络信号的低电平的情况，此时比较器只能输出固定电平而导致解调器输出误码，解调深度通常在100％～40％之间，使得存在干扰时解调深度不够导致解调失败。所以在实际应用中RFID标签面临着各种频段信号的干扰，对RFID电子标签电路中的解调器提出了抗干扰能力提出了挑战。

同时在射频输入功率很低的条件下，如何保证RFID标签能正常工作以确保通信距离也是一个问题，如RFID标签在实际应用中受到复杂电磁环境干扰，例如超高频(900MHz)RFID标签面临880MHz、930MHz无线通信频率的干扰，严重影响RFID标签的通信距离。因此，RFID电子标签中的解调器必须具备低功耗、高灵敏度和抗干扰能力强等要求；而如何解决现有RFID标签中解调器存在的缺陷是现阶段急需解决的问题。

发明内容

本发明的目的在于克服现有技术的不足，提供一种RFID抗干扰解调器，解决了RFID解调器在存在干扰时解调深度不够和在射频输入功率很低时不能正常解调导致灵敏度低的问题。

本发明的目的是通过以下技术方案来实现的：一种RFID抗干扰解调器，它包括依次连接的包络提取电路、低通滤波电路、双输出射随器和迟滞比较器，双输出射随器包括运算放大器电路和两路单管射随器结构：运算放大器电路输出端连接负输入端，形成闭环射随器，再通过差分输出端与两路单管射随器结构连接；

第一单管射随器结构包括依次串联的多个MOS管组成的第一单管射随器以及与第一单管射随器串联的MOS管m10，差分输出端连接到第一单管射随器中所有MOS管的栅极；

第二单管射随器结构包括依次多个串联的MOS管组成的第二单管射随器，以及与第二单管射随器结构并联的MOS管m11，差分输出端连接到第二单管射随器中所有MOS管的栅极；

两路单管射随器串联的MOS管数量不同使得静态输出电平不同，进而实现同时输出极性相反的两路错位互补的包络信号。

所述运算放大器电路包括差分输入放大管m20和m21，m14和m15构成的反相器，以及m18和m19组成的电流镜结构；

m4和m5采用二极管连接方式分别连接到m20和m21的漏极上作为运算放大器的负载；m19的漏极连接到m20的栅极构成负反馈结构；

反相器的输出端连接依次串联的m17和m16，m16的漏极连接到m20和m21的栅极上实现整个电路工作状态的控制。

第一单管射随器包络依次串联的m12、m22和m24，m20的漏极与m12、m22和m24的栅极连接，m24的源极与m10的漏极连接；

第二单管射随器包括依次串联的m13和m29，m21的漏极与m13和m23的栅极连接，m23的源极与m11的漏极连接；

m5和m10组成电流镜结构以及m4和m11组成电流镜结构分别驱动第一单管射随器和第二单管射随器产生错位互补的包络信号。