[发明专利]基于绝缘体上硅大批量获得大尺寸单晶硅纳米膜的方法在审
| 申请号： | 201911400443.9 | 申请日： | 2019-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN111180392A | 公开（公告）日： | 2020-05-19 |
| 发明（设计）人： | 吕朝锋;陆明;徐杨 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | H01L21/78 | 分类号： | H01L21/78;H01L29/06;H01L29/16;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人： | 贾玉霞 |
| 地址： | 310058 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基于 绝缘体 大批量 获得 尺寸 单晶硅 纳米 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种基于绝缘体上硅大批量获得大尺寸单晶硅纳米膜的方法,其特征在于，该方法具体包括如下步骤：
S1：在绝缘体上硅表面光刻显影图形；
S2：将光刻显影后的顶层硅刻蚀至埋氧层处；
S3：绝缘体上硅放入腐蚀液中腐蚀埋氧层；
S4：从腐蚀液中取出绝缘体上硅放入水中抖动，使顶层硅脱离衬底漂于水面，得到单晶硅纳米薄膜。
2.根据权利要求1所述的基于绝缘体上硅大批量获得大尺寸单晶硅纳米膜的方法，其特征在于，所述的图形由方形沟槽阵列及方形沟槽内部的方形微孔阵列组成，所述方形沟槽边长为5mm～10mm，所述沟槽阵列为5*5方形阵列，所述方形微孔边长为3～10um。
3.根据权利要求1所述的基于绝缘体上硅大批量获得大尺寸单晶硅纳米膜的方法，其特征在于，所述顶层硅厚度为100nm～300nm。
4.根据权利要求1所述的基于绝缘体上硅大批量获得大尺寸单晶硅纳米膜的方法，其特征在于，所述腐蚀液为电子级6:1缓冲氧化物刻蚀液。
5.根据权利要求1所述的基于绝缘体上硅大批量获得大尺寸单晶硅纳米膜的方法，其特征在于，所述绝缘体上硅埋氧层厚度为1000nm～3000nm。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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