[发明专利]一种直流有刷电机的启动或抗堵转方法有效
申请号: | 201911401634.7 | 申请日: | 2019-12-31 |
公开(公告)号: | CN113131796B | 公开(公告)日: | 2022-07-12 |
发明(设计)人: | 张长洪 | 申请(专利权)人: | 圣邦微电子(北京)股份有限公司 |
主分类号: | H02P1/18 | 分类号: | H02P1/18;H02P29/10;H02P29/40;H02P29/024 |
代理公司: | 北京海虹嘉诚知识产权代理有限公司 11129 | 代理人: | 朱亚娜;吴小灿 |
地址: | 100089 北京市海淀*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 直流 电机 启动 抗堵转 方法 | ||
1.一种直流有刷电机的启动或抗堵转方法,使用H桥驱动电路驱动直流有刷电机,其特征在于,还包括PWM控制模块,所述PWM控制模块设置调制电流阈值和调制电流启动时间,所述调制电流阈值最大不大于过流保护阈值,最小不小于直流有刷电机的额定工作电流;当电机启动或堵转时,即所述PWM控制模块检测到负载电流超过过流保护阈值,从达到所述过流保护阈值开始持续第一时间,此为第一过流电流检测阶段;在第一时间结束时,所述PWM控制模块关闭第一高边MOS开关管和第二高边MOS开关管,开启第三低边MOS开关管和第四低边MOS开关管,使负载电流处于慢衰减状态,并持续第二时间,此为第一电流慢衰减阶段;若所述第二时间过程中,电机转子运转,则H桥恢复正常启动状态;若所述第二时间结束,电机转子仍未运转,则所述H桥驱动电路进入正常启动状态,该正常启动状态开始的同时,所述PWM控制模块检测负载电流,当负载电流超过所述调制电流阈值,且持续时间超过调制电流启动时间,从正常启动状态开始到调制电流启动时间结束,此为第二过流电流检测阶段;所述第二过流电流检测阶段结束的同时,所述PWM控制模块立刻关闭第一高边MOS开关管和第二高边MOS开关管,开启第三低边MOS开关管和第四低边MOS开关管,使负载电流处于慢衰减状态,并持续第二时间,此为第二电流慢衰减阶段;循环重复所述第二过流电流检测阶段和所述第二电流慢衰减阶段,直至到达第三时间;所述第一过流电流检测阶段、所述第一电流慢衰减阶段、循环重复所述第一过流电流检测阶段和所述第一电流慢衰减阶段的总体过程为电流慢衰减前半周期;持续时间为所述第三时间;在所述电流慢衰减前半周期过程中,所述负载电流稳定在所述调制电流阈值;若所述第三时间过程中,电机转子运转,则H桥恢复正常启动状态;若所述第三时间结束,电机转子仍未运转,所述PWM控制模块关闭第一高边MOS开关管、第二高边MOS开关管、第三低边MOS开关管和第四低边MOS开关管,并持续第四时间,此时所述H桥处于高阻状态,此为电流快衰减后半周期;若所述第四时间过程中,电机转子运转,则H桥恢复正常启动状态;若所述第四时间结束,电机转子仍未运转,则循环重复所述电流慢衰减前半周期和所述电流快衰减后半周期,直至到达第五时间;若所述第五时间过程中,电机转子运转,则H桥恢复正常启动状态;若所述第五时间结束,电机转子仍未运转,则所述PWM控制模块自动关闭。
2.根据权利要求1所述的直流有刷电机的启动或抗堵转方法,其特征在于,所述第一时间为2~8微秒。
3.根据权利要求1所述的直流有刷电机的启动或抗堵转方法,其特征在于,所述第二时间大于所述第一时间,且小于100微秒。
4.根据权利要求1所述的直流有刷电机的启动或抗堵转方法,其特征在于,所述第三时间等于一个传统过流保护周期,为2~9毫秒。
5.根据权利要求1所述的直流有刷电机的启动或抗堵转方法,其特征在于,所述第四时间等于所述第三时间,所述电流慢衰减前半周期过程和所述电流快衰减后半周期过程共同组成一个电流衰减周期。
6.根据权利要求1所述的直流有刷电机的启动或抗堵转方法,其特征在于,所述第五时间为所述PWM控制模块的工作时间,所述PWM控制模块的工作时间不大于10秒。
7.根据权利要求1所述的直流有刷电机的启动或抗堵转方法,其特征在于,还包括传统过流保护电路,若所述PWM控制模块自动关闭,则所述传统过流保护电路工作。
8.根据权利要求1或7所述的直流有刷电机的启动或抗堵转方法,其特征在于,还包括过温保护电路,若所述H桥驱动电路的温度超过温度保护阈值,则所述过温保护电路立刻控制开关管控制单元使所述第一高边MOS开关管、第二高边MOS开关管、第三低边MOS开关管和第四低边MOS开关管进入高阻保护状态,并循环重复传统过流保护周期。
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