[发明专利]一种环氧封装微型二极管及制作工艺有效
申请号: | 201911403212.3 | 申请日: | 2019-12-30 |
公开(公告)号: | CN110970298B | 公开(公告)日: | 2023-08-04 |
发明(设计)人: | 刘德军;闫义奇;丁晓宏;张开云;迟鸿燕;杨春梅 | 申请(专利权)人: | 中国振华集团永光电子有限公司(国营第八七三厂) |
主分类号: | H01L21/329 | 分类号: | H01L21/329;H01L21/50;H01L21/60 |
代理公司: | 贵州派腾知识产权代理有限公司 52114 | 代理人: | 汪劲松 |
地址: | 550018 贵州省*** | 国省代码: | 贵州;52 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 封装 微型 二极管 制作 工艺 | ||
本发明提供的一种环氧封装微型二极管及制作工艺,其步骤为:本发明通过加工具有弹性的引线,将重量很轻的管芯夹在引线的开口两端完成管芯和引线的装配,加工完成后再将电极引线剪开,使微型二极管能够采用传统工艺进行加工。
技术领域
本发明涉及一种环氧封装微型二极管及制作工艺。
背景技术
传统的轴向二极管的生产工艺是:将生产好的管芯、焊料、引出电极等,通过专用的模具将其组装好,再通过高温将焊料熔化,使用焊料将管芯和引出电极焊接在一起,再对管芯部分进行腐蚀、钝化、封装。
随着电子设备向集成化,小型化方向发展,这就要求分立器件的引线细、体积要小,重量要轻;某轴向引线微型二极管市场需求很大,其要求是:管体直径小于1mm,管体长度小于0.25mm,引线直径小于0.15mm(铜、镍等金属材料),因其管芯面积小、电极引线直径小、重量轻、电极引线无墩头,管芯和电极引线无法装配、焊接,采用传统工艺已无法生产如此小的二极管。
发明内容
为解决上述技术问题,本发明提供了一种环氧封装微型二极管及制作工艺。
本发明通过以下技术方案得以实现。
本发明提供的一种环氧封装微型二极管及制作工艺,其步骤为:
1管芯制作:按常规工艺制作硅片后将其裂片为管芯;
2引线加工:用具有弹性的金属丝制作引线;
3管芯装配:使用引线将管芯夹紧在引线之间;
4引线焊接:将管芯缓慢放入融化的锡锅中再缓慢取出冷却;
5腐蚀:使用腐蚀液对管芯台面进行酸腐蚀、碱腐蚀、清洗、钝化;
7台面钝化:在管芯上涂上硅橡胶;
6封装:使用环氧树脂涂覆管芯后固化;
7引线正负极分离:将引线中部剪开,加工完成。
所述引线为U型,其两末端折弯90°后接触。
所述步骤4中使用镊子尖端夹住管芯放入锡锅中1~3秒,然后取出冷却1~3秒。
所述步骤5中酸腐蚀采用酸腐蚀液,酸腐蚀液按质量百分比是分析纯的65%~68%的硝酸、≥40%的氢氟酸、95%~98%的硫酸、≥99.5%的冰乙酸、≥99.5%的磷酸按体积比1.2:1:1:2:2的混合溶液。由于产品属于微型器件,在进行腐蚀清洗时必须考虑腐蚀液对组件的腐蚀速率,到其中硝酸和氢氟酸对二氧化硅有络合作用,在氧化和络合的作用下硅不断的溶解,1.2:1的硝酸和氢氟酸的比例能够使硅的腐蚀速度在70μm/min左右在通过冰乙酸为缓冲剂,硅的腐蚀速度为50μm/min左右,当硫酸与硝酸的比例为1:1时硅的腐蚀速度没有明显变化,但加入硫酸能很好抑制腐蚀液对引线的腐蚀作用,避免引线受到过量腐蚀,但硫酸属于强酸,硫酸量加入过多会使芯片台面出现氧化现象,通过加入磷酸作为缓冲剂,更好控制了混合酸的腐蚀速率,以硝酸为氧化剂,氢氟酸为络合剂,硫酸为缓蚀剂,磷酸为缓冲剂,冰乙酸为缓冲剂。
所述步骤5中碱腐蚀采用碱腐蚀液,碱腐蚀液为3%~6%的氢氧化钾溶液,其碱腐蚀温度为58~98℃。氢氧化钾能够去除酸腐蚀中硅片的损伤。同时去除酸腐蚀形成的染色层,减少界面效应对器件的影响,形成更清洁、平整的台面造型,使器件具有更稳定的反向性能。
所述步骤5中钝化采用钝化液,钝化液按质量百分比是≥30%的双氧水、≥85%的磷酸和离子水按2:2:5混合的混合液。使用磷酸减少了结表面的氧化物和碱金属离子存在的几率,同时能生产一层二氧化硅钝化层,从而减小了漏电电流。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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