[发明专利]一种环氧封装微型二极管及制作工艺有效

专利信息
申请号: 201911403212.3 申请日: 2019-12-30
公开(公告)号: CN110970298B 公开(公告)日: 2023-08-04
发明(设计)人: 刘德军;闫义奇;丁晓宏;张开云;迟鸿燕;杨春梅 申请(专利权)人: 中国振华集团永光电子有限公司(国营第八七三厂)
主分类号: H01L21/329 分类号: H01L21/329;H01L21/50;H01L21/60
代理公司: 贵州派腾知识产权代理有限公司 52114 代理人: 汪劲松
地址: 550018 贵州省*** 国省代码: 贵州;52
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摘要:
搜索关键词: 一种 封装 微型 二极管 制作 工艺
【说明书】:

发明提供的一种环氧封装微型二极管及制作工艺,其步骤为:本发明通过加工具有弹性的引线,将重量很轻的管芯夹在引线的开口两端完成管芯和引线的装配,加工完成后再将电极引线剪开,使微型二极管能够采用传统工艺进行加工。

技术领域

本发明涉及一种环氧封装微型二极管及制作工艺。

背景技术

传统的轴向二极管的生产工艺是:将生产好的管芯、焊料、引出电极等,通过专用的模具将其组装好,再通过高温将焊料熔化,使用焊料将管芯和引出电极焊接在一起,再对管芯部分进行腐蚀、钝化、封装。

随着电子设备向集成化,小型化方向发展,这就要求分立器件的引线细、体积要小,重量要轻;某轴向引线微型二极管市场需求很大,其要求是:管体直径小于1mm,管体长度小于0.25mm,引线直径小于0.15mm(铜、镍等金属材料),因其管芯面积小、电极引线直径小、重量轻、电极引线无墩头,管芯和电极引线无法装配、焊接,采用传统工艺已无法生产如此小的二极管。

发明内容

为解决上述技术问题,本发明提供了一种环氧封装微型二极管及制作工艺。

本发明通过以下技术方案得以实现。

本发明提供的一种环氧封装微型二极管及制作工艺,其步骤为:

1管芯制作:按常规工艺制作硅片后将其裂片为管芯;

2引线加工:用具有弹性的金属丝制作引线;

3管芯装配:使用引线将管芯夹紧在引线之间;

4引线焊接:将管芯缓慢放入融化的锡锅中再缓慢取出冷却;

5腐蚀:使用腐蚀液对管芯台面进行酸腐蚀、碱腐蚀、清洗、钝化;

7台面钝化:在管芯上涂上硅橡胶;

6封装:使用环氧树脂涂覆管芯后固化;

7引线正负极分离:将引线中部剪开,加工完成。

所述引线为U型,其两末端折弯90°后接触。

所述步骤4中使用镊子尖端夹住管芯放入锡锅中1~3秒,然后取出冷却1~3秒。

所述步骤5中酸腐蚀采用酸腐蚀液,酸腐蚀液按质量百分比是分析纯的65%~68%的硝酸、≥40%的氢氟酸、95%~98%的硫酸、≥99.5%的冰乙酸、≥99.5%的磷酸按体积比1.2:1:1:2:2的混合溶液。由于产品属于微型器件,在进行腐蚀清洗时必须考虑腐蚀液对组件的腐蚀速率,到其中硝酸和氢氟酸对二氧化硅有络合作用,在氧化和络合的作用下硅不断的溶解,1.2:1的硝酸和氢氟酸的比例能够使硅的腐蚀速度在70μm/min左右在通过冰乙酸为缓冲剂,硅的腐蚀速度为50μm/min左右,当硫酸与硝酸的比例为1:1时硅的腐蚀速度没有明显变化,但加入硫酸能很好抑制腐蚀液对引线的腐蚀作用,避免引线受到过量腐蚀,但硫酸属于强酸,硫酸量加入过多会使芯片台面出现氧化现象,通过加入磷酸作为缓冲剂,更好控制了混合酸的腐蚀速率,以硝酸为氧化剂,氢氟酸为络合剂,硫酸为缓蚀剂,磷酸为缓冲剂,冰乙酸为缓冲剂。

所述步骤5中碱腐蚀采用碱腐蚀液,碱腐蚀液为3%~6%的氢氧化钾溶液,其碱腐蚀温度为58~98℃。氢氧化钾能够去除酸腐蚀中硅片的损伤。同时去除酸腐蚀形成的染色层,减少界面效应对器件的影响,形成更清洁、平整的台面造型,使器件具有更稳定的反向性能。

所述步骤5中钝化采用钝化液,钝化液按质量百分比是≥30%的双氧水、≥85%的磷酸和离子水按2:2:5混合的混合液。使用磷酸减少了结表面的氧化物和碱金属离子存在的几率,同时能生产一层二氧化硅钝化层,从而减小了漏电电流。

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