[发明专利]光功率监测方法、装置、设备及存储介质

说明书

本申请公开一种光功率监测方法、装置、设备及存储介质，其中，光功率监测方法包括：获取待监测光模块的校准参数；根据所述校准参数计算得所述待监测光模块的第一光功率偏差；根据所述校准参数、第一光功率偏差计算得到所述待监测光模块的参考光功率；根据所述参考光功率、所述校准参数、所述第一光功率偏差计算得到所述待监测光模块的当前光功率。本申请能够实现对光模块的光功率监测的同时，还具有占用光模块运行资源少、成本低等优点。

技术领域

本申请涉及光通信技术领域，具体而言，涉及一种光功率监测方法、装置、设备及存储介质。

背景技术

目前，实现对光模块的光功率实时监测主要的方式为：一、利用查找表实现光模块的光功率实时监测，这种方式会占用过多光模块中的flash和XRAM资源，同时这种方法对MCU要求高，因此成本高；二、利用带MPD的器件实现光模块的光功率实时监测，但是，这种方式的成本也高。

发明内容

本申请目的在于公开一种光功率监测方法、装置、设备及存储介质，用于实现对光模块的光功率进行监测，其中，本申请具有占用光模块运行资源少、成本低的优点。

本申请第一方面公开一种光功率监测方法，该方法包括：

获取待监测光模块的校准参数；

根据校准参数计算得待监测光模块的第一光功率偏差；

根据校准参数、第一光功率偏差计算得到待监测光模块的参考光功率；

根据参考光功率、校准参数、第一光功率偏差计算得到待监测光模块的当前光功率。

在本申请中，通过获取光模校准参数可计算得到光模块的第一光功率偏差，进而可计算根据参考光功率，进而可计算得到光模块的当前功率，最终实现对光模块的当前功率进行监测。与现有的光模块的光功率检测方式相比，本申请的光功率监测方法具有占用运行资源(如占用光模块的内存资源)少、成本低优点，而现有的光模块的一种光功率检测方式由于需要根据光模块当前的温度在预先存储的温度与光功率映射表遍历查当前温度对应的光功率，因此需要占用光模块很多的运行资源来执行查询操作，这样就会导致光模块内存资源被占用过多、响应其他任务速度慢等问题。另一方面，现有的光模块的另一种光功率检测方式由于需要利用MPD模组实现光功率检测，因此，由于MPD模组的成本高，该光功率检测方式具有成本高的缺点。

在一些可选的实施方式中，校准参数包括预设校准温度、校准常数及第二光功率偏差，其中，参考光功率为待监测光模块在25度摄氏度时的光功率，第一光功率偏差为参考光功率与待监测光模块的校准温度时光功率之间的光功率偏差，第二光功率偏差为参考光功率与待监测光模块85摄氏度光时的功率之间的光功率偏差。

在该可选的实施方式中，进一步可选地，当校准温度大于等于25摄氏度时，根据校准参数计算得待监测光模块的第一光功率偏差对应的计算式为：

Tx_N_25DBM_off＝(CalTemp_N–25)/(85-25)*10lg(HTMax_off/10000)，其中，Tx_N_25DBM_off表示第一光功率偏差，CalTemp_N表示校准温度、HTMax_off表示第二光功率偏差、lg(HTMax_off/10000)表示对(HTMax_off/10000)取对数。

在该可选的实施方式中，进一步可选地，根据校准参数、第一光功率偏差计算得到待监测光模块的参考光功率的对应的计算式为：

Tx_N_25DBM＝Tx_N_25DBM_off+10lg(CalTx_N_DDM/10000)，其中，Tx_N_25DBM表示参考光功率，CalTx_N_DDM表示校准常数。