[发明专利]一种装有记忆合金密封垫片的连接装置在审
申请号: | 201911404346.7 | 申请日: | 2019-12-30 |
公开(公告)号: | CN111059132A | 公开(公告)日: | 2020-04-24 |
发明(设计)人: | 岳嵩;扎西;李大鹏;朱真兵;尼玛;王晓峰;罗福星;韩卫忠;王秀群;李博清;林希衡 | 申请(专利权)人: | 西安交通大学 |
主分类号: | F16B43/00 | 分类号: | F16B43/00;F16B39/24;C22C1/02;C22F1/00 |
代理公司: | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人: | 房鑫 |
地址: | 710049 *** | 国省代码: | 陕西;61 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 装有 记忆 合金 密封 垫片 连接 装置 | ||
1.一种装有记忆合金密封垫片的连接装置,其特征在于,包括螺栓(5)、箱体(4)、箱盖(3)及形状记忆合金垫片(2);
螺栓(5)依次穿过箱体(4)、箱盖(3)及形状记忆合金垫片(2)后套接有螺母(1),当形状记忆合金垫片(2)的温度小于该形状记忆合金材料的奥氏体初始相变温度时,该形状记忆合金垫片(2)呈压平状;当形状记忆合金垫片(2)的温度大于等于该形状记忆合金材料的奥氏体初始相变温度时,该形状记忆合金垫片(2)产生形状记忆效应进行回复,该形状记忆合金垫片(2)回复后,该形状记忆合金垫片(2)的表面沿周向呈波纹形结构。
2.根据权利要求1所述的装有记忆合金密封垫片的连接装置,其特征在于,该形状记忆合金材料的奥氏体初始相变温度为40℃-60℃。
3.根据权利要求1所述的装有记忆合金密封垫片的连接装置,其特征在于,形状记忆合金垫片(2)的材质为TiNi形状记忆合金。
4.根据权利要求1所述的装有记忆合金密封垫片的连接装置,其特征在于,该形状记忆合金垫片(2)的制备过程为:按TiNi形状记忆合金中Ti元素及Ni元素的配比进行熔炼,得铸锭,其中,熔炼的温度为1250℃~1300℃,熔炼时间为30min,再去除铸锭的表面缺陷,然后段扎制成板材,再进行切割,得垫片初产品,然后将垫片初产品进行中温退火定型,得成形状记忆合金垫片(2)。
5.根据权利要求4所述的装有记忆合金密封垫片的连接装置,其特征在于,将垫片初产品进行中温退火定型的具体过程为:将垫片初产品加热至500℃,并保温30min,然后随炉冷却至室温。
6.根据权利要求5所述的装有记忆合金密封垫片的连接装置,其特征在于,在温度小于形状记忆合金材料的奥氏体初始相变温度的环境下,对该形状记忆合金垫片(2)施加外力,使其呈现压平状,使得形状记忆合金材料内部马氏体变体沿择优取向方向生长,使其发生宏观形状改变,通过保持温度始终低于形状记忆合金材料的奥氏体初始相变温度进行卸载。
7.根据权利要求1所述的装有记忆合金密封垫片的连接装置,其特征在于,该记忆合金垫片回复后,记忆合金垫片的表面沿周向呈波纹形结构,其中,该波纹形结构中起伏周期的数量为3-5个。
8.根据权利要求6所述的装有记忆合金密封垫片的连接装置,其特征在于,将卸载后的形状记忆合金材料进行时效处理,其中,时效处理的保温温度为450℃,保温时间为20min-30min。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安交通大学,未经西安交通大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201911404346.7/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。