[发明专利]用于太赫兹超材料构建的基板、太赫兹超材料及制备方法

权利要求书

1.一种用于太赫兹超材料构建的基板的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1、将目标陶瓷基板材料与粘结剂、极性溶剂均匀混合，配制成浆料；

S2、将所述浆料通过3D打印技术进行成型，而后进行干燥处理，制得陶瓷片半成品；

S3、将所述陶瓷片半成品进行烧结处理。

2.根据权利要求1所述用于太赫兹超材料构建的基板的制备方法，其特征在于，所述目标陶瓷基板材料选自氧化钛、氧化硅、氧化铝、钛酸锶、钛酸钡中的至少一种。

3.根据权利要求2所述用于太赫兹超材料构建的基板的制备方法，其特征在于，所述目标陶瓷基板材料的粒径为1～10μm。

4.根据权利要求1所述用于太赫兹超材料构建的基板的制备方法，其特征在于，步骤S1中，所述粘结剂选自聚偏氟乙烯、聚乙烯醇缩丁醛、聚乙烯醇中的至少一种。

5.根据权利要求1所述用于太赫兹超材料构建的基板的制备方法，其特征在于，步骤S1中，所述目标陶瓷基板材料、所述粘结剂和所述极性溶剂的质量比为(50～80)：(8～4)：(42～16)。

6.根据权利要求1所述用于太赫兹超材料构建的基板的制备方法，其特征在于，步骤S2中，所述成型的成型厚度为10μm～3㎜。

7.根据权利要求1至6中任一项所述用于太赫兹超材料构建的基板的制备方法，其特征在于，步骤S3中，所述烧结处理具体为：以5～10℃/min升温速度升温至600～800℃，保温2～3h；而后以5～10℃/min升温速度升温至1400～1700℃，保温2～3h。

8.一种用于太赫兹超材料构建的基板，其特征在于，由权利要求1至7中任一项所述用于太赫兹超材料构建的基板的制备方法制得。

9.一种太赫兹超材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

①太赫兹超材料的设计，包括：采用仿真软件进行太赫兹超材料结构设计；

②太赫兹超材料的制备，包括：根据步骤①设计所得的太赫兹超材料结构，在权利要求8所述用于太赫兹超材料构建的基板上进行激光雕刻，制得太赫兹超材料。

10.一种太赫兹超材料，其特征在于，由权利要求9所述太赫兹超材料的制备方法制得。