[发明专利]半导电缓冲层电气的测试电路、评估方法及处理终端

权利要求书

1.一种半导电缓冲层电气的测试电路，其特征在于，应用于待测试电缆段；所述待测试所述半导电缓冲层电气测试电路包括：

高压环，紧贴所述待测试电缆段的绝缘屏蔽层，且与所述待测试电缆段的导体短接；

屏蔽环，紧贴所述待测试电缆段的半导电缓冲层；

直流源组件，所述直流源组件的高压极与所述高压环连接，所述直流源组件的低压极与所述屏蔽环及电缆的金属套连接；

其中，所述半导电缓冲层设置于所述绝缘屏蔽层的两侧。

2.根据权利要求1所述的半导电缓冲层电气的测试电路，其特征在于，所述直流源组件的直流电流表一端与所述待测试电缆段外露的金属套表面连接；所述电流表的另一端接地。

3.根据权利要求2所述的半导电缓冲层电气的测试电路，其特征在于，所述屏蔽环的宽度设置在5mm～15mm之间。

4.根据权利要求3所述的半导电缓冲层电气的测试电路，其特征在于，所述屏蔽环的内缘与所述金属套表面外缘，外护套之间的距离设置5mm～15mm之间。

5.根据权利要求1所述的半导电缓冲层电气的测试电路，其特征在于，所述直流源组件的低压极接地。

6.根据权利要求1所述的半导电缓冲层电气的测试电路，其特征在于，所述高压环的宽度设置在1mm～5mm之间。

7.根据权利要求6所述的半导电缓冲层电气的测试电路，其特征在于，所述高压环与所述绝缘屏蔽层外缘的距离设置在1mm～5mm之间。

8.一种半导电缓冲层电气的评估方法，其特征在于，用于基于一半导电缓冲层电气的测试电路评估半导电缓冲层的性能参数；所述半导电缓冲层电气的测试电路包括绝缘屏蔽层、设置于所述绝缘屏蔽层的两侧的半导电缓冲层、紧贴绝缘屏蔽层的高压环及紧贴所述半导电缓冲层的屏蔽环；所述半导电缓冲层电气的评估方法包括：

获取待测试电缆段在至少三种测试环境下所述半导电缓冲层电气的测试电路中产生的电路试验参数；

根据待测试电缆段在至少三种测试环境下产生的所述电路试验参数，按照预设半导电缓冲层的性能评估方式，计算在径向直流回路下所述半导电缓冲层的性能参数。

9.根据权利要求8所述的半导电缓冲层电气的评估方法，其特征在于，

所述三种测试环境包括室内空气环境、烘箱环境及恒温恒湿箱环境。

10.根据权利要求8所述的半导电缓冲层电气的评估方法，其特征在于，

所述半导电缓冲层的性能参数包括半导电缓冲层的等效线电阻和/或等效面电阻；

所述预设半导电缓冲层的性能评估方式包括半导电缓冲层的等效线电阻的评估方式和半导电缓冲层的等效面电阻的评估方式。

11.一种处理终端，其特征在于，包括：处理器及存储器；

所述存储器用于存储计算机程序，所述处理器用于执行所述存储器存储的计算机程序，以使所述处理终端执行如权利要求8至10中任一项所述半导电缓冲层电气的评估方法。