[发明专利]一种等离子体刻蚀残留物清洗液在审
申请号: | 201911407714.3 | 申请日: | 2019-12-31 |
公开(公告)号: | CN113130292A | 公开(公告)日: | 2021-07-16 |
发明(设计)人: | 肖林成;刘兵;彭洪修;张维棚;赵鹏 | 申请(专利权)人: | 安集微电子科技(上海)股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L21/311;C09K13/00 |
代理公司: | 北京大成律师事务所 11352 | 代理人: | 李佳铭;王芳 |
地址: | 201201 上海市浦东新区华东路*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 等离子体 刻蚀 残留物 清洗 | ||
1.一种等离子体刻蚀残留物清洗液,其特征在于,包括氧化剂、pH调节剂、稳定剂、有机酸铵盐、金属缓蚀剂、以及水。
2.如权利要求1所述的等离子体刻蚀残留物清洗液,其特征在于,所述氧化剂的质量浓度为0.1wt%-30wt%。
3.如权利要求1所述的等离子体刻蚀残留物清洗液,其特征在于,所述氧化剂为H2O2、N-甲基吗啉氧化物、过氧化苯甲酰、过氧单硫酸四丁铵、臭氧、高锰酸、高氯酸、碘酸、高碘酸、过硫酸、过氧二硫酸铵、过乙酸、过氧化脲、硝酸、次氯酸铵、氯酸铵、碘酸铵、高氯酸铵、高碘酸铵、亚氯酸四甲铵、氯酸四甲铵、碘酸四甲铵、过硼酸四甲铵、高氯酸四甲铵、高碘酸四甲铵、过硫酸四甲铵、过氧乙酸、过氧苯甲酸、四氧嘧啶中的一种或多种。
4.如权利要求3所述的等离子体刻蚀残留物清洗液,其特征在于,所述氧化剂为H2O2。
5.如权利要求1所述的等离子体刻蚀残留物清洗液,其特征在于,所述有机酸铵盐的质量浓度为0.01wt%-50wt%。
6.如权利要求1所述的等离子体刻蚀残留物清洗液,其特征在于,所述有机酸铵盐为甲酸铵、草酸铵、乳酸铵、酒石酸铵、柠檬酸三铵、乙酸铵、氨基甲酸铵、碳酸铵、苯甲酸铵、乙二胺四乙酸四铵、乙二胺四乙酸三铵、乙二胺四乙酸二铵、琥珀酸铵、1-H-吡唑-3-甲酸铵、丙二酸铵、己二酸铵、亚氨基二乙酸铵中的一种或多种。
7.如权利要求1所述的等离子体刻蚀残留物清洗液,其特征在于,所述pH调节剂的质量浓度为0.1wt%-20wt%。
8.如权利要求1所述的等离子体刻蚀残留物清洗液,其特征在于,所述pH调节剂为碱性调节剂。
9.如权利要求8所述的等离子体刻蚀残留物清洗液,其特征在于,所述pH调节剂为季胺氢氧化物、有机胺、有机醇胺中的一种或多种。
10.如权利要求9所述的等离子体刻蚀残留物清洗液,其特征在于,所述季胺氢氧化物为四甲基氢氧化铵、四乙基氢氧化铵、三甲基苯基氢氧化铵、苄基三甲基氢氧化铵、苄基三乙基氢氧化铵、四丁基氢氧化铵、四丁基氢氧化磷、胆碱氢氧化物、氢氧化铵、十二烷基三甲基氢氧化铵、十六烷基三甲基氢氧化铵中的一种或多种。
11.如权利要求9所述的等离子体刻蚀残留物清洗液,其特征在于,所述有机胺为单乙胺、二乙胺、三乙胺、三丙胺、N'N-二乙基乙二胺、羟乙基乙二胺、环己胺、1,2-丙二胺、五甲基二乙烯三胺中的一种或多种。
12.如权利要求9所述的等离子体刻蚀残留物清洗液,其特征在于,所述有机醇胺为单乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、二甘醇胺、异丙醇胺、N-甲基乙醇胺中的一种或多种。
13.如权利要求9所述的等离子体刻蚀残留物清洗液,其特征在于,所述pH调节剂为金属离子含量小于50ppb的碱性pH调节剂。
14.如权利要求1所述的等离子体刻蚀残留物清洗液,其特征在于,所述稳定剂的质量浓度为0.05-1000ppm。
15.如权利要求14所述的等离子体刻蚀残留物清洗液,其特征在于,所述稳定剂的质量浓度为0.1-100ppm。
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