[发明专利]一种改善缺陷剥落的方法在审
| 申请号： | 201911407840.9 | 申请日： | 2019-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN111128724A | 公开（公告）日： | 2020-05-08 |
| 发明（设计）人： | 宁威;倪立华;陈广龙;李志国;米琳;吴坚;周军 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体（无锡）有限公司;上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/324 | 分类号： | H01L21/324;H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 改善 缺陷 剥落 方法 | ||
1.一种改善缺陷剥落的方法，其特征在于，该方法至少包括以下步骤：
步骤一、提供具有SiCOH层的晶圆；
步骤二、在所述SiCOH层上沉积NDC层；
步骤三、在所述NDC层上沉积BD层；
步骤四、在所述BD层上沉积TEOS层；
步骤五、对所述晶圆进行快速升温，利用快速升温的热冲击使晶圆提前将缺陷剥落；
步骤六、对所述晶圆进行清洗以去除剥落的缺陷。
2.根据权利要求1所述的改善缺陷剥落的方法，其特征在于：步骤三中的所述BD层的材料为SiCOH。
3.根据权利要求1所述的改善缺陷剥落的方法，其特征在于：步骤五中对所述晶圆进行快速升温的温度升至300℃。
4.根据权利要求1所述的改善缺陷剥落的方法，其特征在于：步骤五中对所述晶圆进行快速升温的时间为10s。
5.根据权利要求1所述的改善缺陷剥落的方法，其特征在于：步骤六中对所述晶圆进行清洗的方法通过去离子水进行清洗。
6.根据权利要求1所述的改善缺陷剥落的方法，其特征在于：该方法还包括步骤七、在所述TEOS层上沉积TiN层。
7.根据权利要求6所述的改善缺陷剥落的方法，其特征在于：该方法还包括步骤八、在所述TiN层上沉积氧化层。
8.根据权利要求1所述的改善缺陷剥落的方法，其特征在于：该方法用于55nm及以下产品后段的薄膜沉积工艺。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
