[发明专利]超材料太赫兹电磁吸收器

权利要求书

1.超材料太赫兹电磁吸收器，其特征在于：包括以水平方向截面为正方形的介质层(1)，介质层(1)的底面连接有一层泡沫层(6)，泡沫层(6)的底面设有金属接地层(2)；所述介质层(1)的表面设有金属贴片层(3)；所述的金属贴片层(3)包括设置在位于介质层(1)表面中心位置的正十字形贴片(4)，正十字形贴片(4)的四角处分别设有方形贴片(5)；所述正十字形贴片(4)和方形贴片(5)的周边设有第一贴片框(7)和第二贴片框(8)；所述的第一贴片框(7)和第二贴片框(8)为方形框相邻的两边分别被两个长方体切割后所留的两个部分。

2.根据权利要求1所述的超材料太赫兹电磁吸收器，其特征在于：所述介质层(1)的材质为聚酰亚胺，介质层的介电常数为3.5+0.2i；所述介质层(1)的长宽均为12μm,厚度为1.4μm。

3.根据权利要求1所述的双开口环结构宽带微波吸收器，其特征在于：所述泡沫层(6)的长宽均为12μm,厚度为12μm。

4.根据权利要求1所述的超材料太赫兹电磁吸收器，其特征在于：所述金属接地层(2)的长宽均为12μm，厚度为100nm，材质为金。

5.根据权利要求1所述的超材料太赫兹电磁吸收器，其特征在于：所述的金属贴片层(3)的厚度为100nm，材质为金。

6.根据权利要求1所述的超材料太赫兹电磁吸收器，其特征在于：所述方形框的边框宽度为0.75μm。

7.根据权利要求1所述的超材料太赫兹电磁吸收器，其特征在于：所述正十字形贴片(4)包括相互垂直的水平横条和竖直横条，水平横条和竖直横条的宽度均为1μm；所述的第一贴片框(7)和第二贴片框(8)为方形框相邻的两边中心分别被两个长方体切割后所留的两个部分，且切割的宽度与水平横条或竖直横条的宽度相等。

8.根据权利要求7所述的超材料太赫兹电磁吸收器，其特征在于：所述的方形贴片(5)与水平横条和竖直横条之间的距离均为1μm。

9.根据权利要求8所述的超材料太赫兹电磁吸收器，其特征在于：所述的方形贴片(5)的宽度为3.25μm。