[发明专利]半导体装置的制造方法在审
申请号: | 201911409782.3 | 申请日: | 2019-12-31 |
公开(公告)号: | CN111584474A | 公开(公告)日: | 2020-08-25 |
发明(设计)人: | 万·阿札·宾·万·马特;横山岳 | 申请(专利权)人: | 富士电机株式会社 |
主分类号: | H01L25/16 | 分类号: | H01L25/16;H01L25/07;H01L25/00 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 张欣;金玉兰 |
地址: | 日本神奈*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 装置 制造 方法 | ||
本发明提供半导体装置的制造方法。能够可靠地接合接触部件。将设定于平板状的按压工具(4)的主面的按压区域(4a)配置于接触部件(2a~2c)上。然后,边加热,边使按压工具(4)的按压区域(4a)随着在层叠基板(1)产生的翘曲而倾斜,将接触部件(2a~2c)朝向层叠基板(1)按压。由此,在用于接合接触部件(2a~2c)的按压时,即使因加热而在层叠基板(1)产生翘曲,接触部件(2a~2c)的位置偏移,也能够将接触部件(2a~2c)可靠地朝向层叠基板(1)按压。
技术领域
本发明涉及半导体装置的制造方法。
背景技术
包含IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor:绝缘栅双极型晶体管)、功率MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor:金属氧化物半导体场效应晶体管)等半导体元件的半导体装置例如作为电力变换装置被利用。这样的半导体装置包括陶瓷电路基板,该陶瓷电路基板具有绝缘层,以及形成于绝缘层的正面且配置有半导体元件的多个电路图案层。此外,在电路图案层的预定区域上,介由焊料设置有用于安装外部连接端子的筒状的接触部件。
在制造这样的半导体装置时,首先,在陶瓷电路基板的电路图案层的预定区域上介由焊料配置接触部件。然后,在该接触部件上配置有按压工具的状态下加热。这样使焊料熔融,用按压工具将接触部件按压到陶瓷电路基板侧,使焊料固化。通过这样的回流焊接工序,能够在陶瓷电路基板的电路图案层的预定区域进行接触部件的焊料接合(例如参照专利文献1)。
另外,专利文献2公开了如下的工具,该工具具有由主体部和配置于该主体部上的框部件构成的台座、以及配置于主体部上且框部件中的多个定位部件。在定位部件上表面的孔配置有电子部件。记载了定位部件在台座的主体部上能够变位地被夹持。但是,未记载由于定位部件沿着主体部上移动,所以在框内多个定位部件可能被倾斜地配置。
另外,专利文献3公开了如下的焊接工具,该焊接工具是可以用于引线框的工具,其主体部在长度方向被分割成多个,且各分割体介由连结方棒连结,此外,在上述连结棒与分割体之间设置有允许在主体部长度方向上相对移动的间隙的焊接工具。该文献为了降低加热时的工具的翘曲的影响而将工具分割。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2014-187179号公报
专利文献2:日本特开2015-91607号公报
专利文献3:日本实开昭63-11168号公报
发明内容
技术问题
上述的陶瓷电路基板在绝缘层的背面形成有面积比形成于正面的电路图案层的面积大的金属层。因此,具备这样的热膨胀率不同的构成的陶瓷电路基板如果在回流焊接工序中被加热,则(相对于重力方向)向下凸而产生翘曲。即使利用按压工具按压产生了翘曲的陶瓷电路基板上的接触部件,也会在按压工具和接触部件中产生间隙。因此,无法利用按压工具将接触部件适当地朝向陶瓷电路基板按压而使接触部件与陶瓷电路基板无法接合,半导体装置的品质可能降低。
本发明是鉴于这样的情况而完成的,目的在于提供能够可靠地接合接触部件的半导体装置的制造方法。
技术方案
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