[发明专利]基于蜿蜒线的柔性MEMS可延展传感器及其制备方法在审
| 申请号： | 201911410058.2 | 申请日： | 2019-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN111134831A | 公开（公告）日： | 2020-05-12 |
| 发明（设计）人： | 刘景全;洪雯 | 申请（专利权）人： | 上海交通大学 |
| 主分类号： | A61B18/02 | 分类号： | A61B18/02 |
| 代理公司： | 上海恒慧知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31317 | 代理人： | 徐红银;赵楠 |
| 地址： | 200240 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基于 蜿蜒 柔性 mems 延展 传感器 及其 制备 方法 | ||
1.一种基于蜿蜒线的柔性MEMS可延展传感器，其特征在于，包括可延展基底层、底部绝缘层、金属层和顶部绝缘层；其中，
所述可延展基底层位于结构最底层；
所述底部绝缘层设置于所述可延展基底层上；
所述金属层设置于所述底部绝缘层的上方；
所述顶部绝缘层设置于所述金属层的上方；
所述底部绝缘层、所述金属层和所述顶部绝缘层的形状呈蜿蜒状延伸，用以增强其延展性。
2.根据权利要求1所述的一种基于蜿蜒线的柔性MEMS可延展传感器，其特征在于，所述蜿蜒状为二阶蛇形线。
3.根据权利要求1所述的一种基于蜿蜒线的柔性MEMS可延展传感器，其特征在于，所述顶部绝缘层可根据需求进行图形化，将位于其下方的所述金属层局部裸露，使所述金属层局部裸露位置直接接触外界环境。
4.一种基于蜿蜒线的柔性MEMS可延展传感器的制备方法，其特征在于，包括：
在衬底上制作牺牲层；在所述牺牲层上方旋涂一层可延展性基底材料，得到可延展性基底层；
在得到所述可延展性基底层上沉积一层绝缘材料，得到底部绝缘层；
在所述底部绝缘层上溅射一层金属薄膜，得到金属层，然后图形化所述金属层，得到蜿蜒状的所述金属层；
在所述金属层的上方沉积一层绝缘材料，得到顶部绝缘层，然后在所述顶部绝缘层上制备掩模并图形化，利用掩模刻蚀图形化所述顶部绝缘层、所述底部绝缘层，得到蜿蜒状的所述底部绝缘层、所述顶部绝缘层；
溶解所述牺牲层，释放器件。
5.根据权利要求4所述一种基于蜿蜒线的柔性MEMS可延展传感器的制备方法，其特征在于，所述可延展性基底材料为聚二甲基硅氧烷。
6.根据权利要求4所述一种基于蜿蜒线的柔性MEMS可延展传感器的制备方法，其特征在于，所述绝缘材料为聚对二甲苯。
7.根据权利要求4所述一种基于蜿蜒线的柔性MEMS可延展传感器的制备方法，其特征在于，所述金属薄膜的材料为金。
8.根据权利要求4所述一种基于蜿蜒线的柔性MEMS可延展传感器的制备方法，其特征在于，所述牺牲层的材料为铝。
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