[发明专利]一种修复晶硅太阳电池银栅线电极的方法有效
申请号: | 201911410140.5 | 申请日: | 2019-12-31 |
公开(公告)号: | CN111074275B | 公开(公告)日: | 2021-10-26 |
发明(设计)人: | 莫丽玢;赵雷;王文静 | 申请(专利权)人: | 中国科学院电工研究所 |
主分类号: | C23C28/02 | 分类号: | C23C28/02;C23C18/44;C25D3/46;H01L31/0224;H01L31/18 |
代理公司: | 北京高沃律师事务所 11569 | 代理人: | 张天一 |
地址: | 100190 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 修复 太阳电池 银栅线 电极 方法 | ||
1.一种修复晶硅太阳电池银栅线电极的方法,包括如下步骤:
将损坏的晶硅太阳电池银栅线电极依次进行光诱导化学镀银处理和电镀银处理,得到再生银栅线电极;
所述光诱导化学镀银处理用化学镀银液包括如下组分:硝酸银、硫酸铵、葡萄糖和水;其中,硝酸银的浓度为0.1~0.5mol/L,硫酸氨的浓度为0.5~1mol/L,葡萄糖的浓度为0.05~0.2mol/L,所述化学镀银液的pH值为7~8;
所述化学镀银液的工作温度为20~40℃,所述光诱导化学镀银的光照强度为500~1500W/m2,所述光诱导化学镀银的时间为1~5min;
所述电镀银处理用电镀银液包括如下组分:硝酸银、硫酸铵和水;其中,硝酸银的浓度为0.1~0.5mol/L,硫酸铵的浓度为0.5~1mol/L,所述电镀银液的pH值为7~8;
所述电镀银液的工作温度为20~40℃,所述电镀银处理的电流密度为0.05~2A/dm2,所述电镀银处理的时间为0.5~5min。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述电镀银处理的正极的材质为银。
3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述电镀银处理完成后,将所得晶硅太阳电池依次进行水洗和干燥,得到再生晶硅太阳电池。
4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,所述干燥的温度为80~100℃,时间为8~15min。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院电工研究所,未经中国科学院电工研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201911410140.5/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类