[发明专利]提高单晶硅品质的热场及方法

权利要求书

1.一种提高单晶硅品质的方法，其特征在于，包括以下步骤：

安装热场，并对热场进行调整；

清洁多晶硅料，并进行清炉、装料、化料、二次加料、引颈、放肩、等径、收尾和提出的环节；

其中，所述热场包括石英坩埚以及同轴等径设置的主加热器和副加热器，所述主加热器相对于所述石英坩埚的中上部设置，由若干个等长的主加热瓣环设而成，所述副加热器相对于所述石英坩埚的下部设置，由若干个等长的副加热瓣环设而成，所述主加热器和所述副加热器的表面还喷涂有用以避免碳挥发的耐高温水基纳米涂层；

所述调整为：缩短所述主加热瓣的长度，缩短所述副加热瓣的长度，同时降低由所述主加热器和所述副加热器所形成的加热中心的高度；

另外，在所述等径的环节中，关停所述副加热器，降低拉速，仅通过所述主加热器维持热场温度；

所述石英坩埚为高纯石英埚，所述高纯石英埚的内层砂为高纯石英砂，所述内层砂的占比为90-100wt%；

所述耐高温水基纳米涂层的材质为二氧化锆。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述高纯石英埚的制备方法包括采用石英砂成型石英埚坯，再采用高纯石英砂经过电弧法高温打底成型石英埚内层砂的步骤。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述打底成型的起弧功率为800-1200KW，熔制功率为1000-1500KW，熔制时间为6-10s。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述热场还包括保温筒和大盖，所述保温筒、大盖以及所述主加热器和所述副加热器均为石墨件，且所述保温筒和所述大盖的表面也分别涂有用以避免碳挥发的耐高温水基纳米涂层。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述化料环节采用分体式两步加热，所述二次加料环节为先进行环形组合式加料，再进行加料器加料，在所述化料环节的第二步加热过程中以及所述加料器加料的过程中均同时通入用以带走硅氧化物和杂质挥发物的惰性气体。