[发明专利]一种制备周期性光学超晶格的方法

权利要求书

1.一种制备周期性光学超晶格的方法，其特征在于，包括：

对铁电体晶体进行处理，获得周期性的钛扩散结构，所述钛扩散结构表面内嵌有钛扩散区域；

在未扩散区域套刻周期性的目标电极，形成目标基片，其中，所述未扩散区域为所述钛扩散以外的区域，所述未扩散区域与所述钛扩散区域位于所述铁电体晶体的同一表面上，所述目标电极为直接与铁电体晶体相接触的电极，所述目标电极的宽度小于任意两个相邻钛扩散区域之间的未扩散区域的宽度；

对所述目标基片施加电场，形成周期性光学超晶格；

其中，对铁电体晶体进行处理，获得周期性的钛扩散结构，包括：

在铁电体晶体表面，光刻一层周期性的第一光刻胶结构，形成第一基片，其中，所述第一光刻胶结构覆盖需要发生畴翻转的区域；

在所述第一基片表面镀上一层金属钛膜，形成表面具有第一条状结构和第二条状结构交错排列的第二基片，所述第一条状结构为第一光刻胶结构与金属钛膜堆叠的结构，所述第二条状结构为单一的金属钛膜；

剥离所述第二基片表面的第一条状结构，获得表面具有周期性金属钛膜的第三基片；

将所述第三基片表面的金属钛膜进行扩散处理，获得周期性的钛扩散结构；

其中，在未扩散区域套刻周期性的目标电极，形成目标基片，包括：

在所述钛扩散结构表面，光刻一层周期性的第二光刻胶结构，形成第四基片，其中，所述第二光刻胶结构覆盖所述钛扩散区域，相邻所述第二光刻胶结构之间的截面为半椭圆形结构；所述第二光刻胶结构为台阶状，且越靠近相邻第二光刻胶结构之间的间隔中部位置，台阶越低；光刻过程中，对覆盖光刻胶的钛扩散结构进行不完全烘干及不完全曝光，其中，所述不完全曝光为将利用不完全烘干形成的第一待曝光基片进行曝光的操作；

在所述第四基片表面镀上一层金属膜，形成表面具有第三条状结构和第四条状结构交错排列的目标基片，所述第三条状结构为第二光刻胶结构与金属膜堆叠的结构，所述第四条状结构为单一的金属膜，将所述第四条状结构作为目标电极。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述金属膜所用的金属为镍或铬。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述钛扩散结构表面，光刻一层周期性的第二光刻胶结构，形成第四基片，包括：

在所述钛扩散结构表面均匀覆盖一层光刻胶；

对覆盖光刻胶的钛扩散结构进行不完全烘干，获得第一待曝光基片；

利用预设掩膜版对所述第一待曝光基片进行不完全曝光，其中，所述预设掩膜版包括镂空区域和遮挡区域，将所述镂空区域对应的区域作为曝光区域，所述曝光区域与所述未扩散区域相对应；

对所述曝光区域进行显影处理，获得具有第二光刻胶结构的第四基片，相邻所述第二光刻胶结构之间的间隔小于所述镂空区域的宽度。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，在对所述曝光区域进行显影处理，获得具有第二光刻胶结构的第四基片之后，还包括：烘干显影处理后的曝光区域。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在铁电体晶体表面，光刻一层周期性的第一光刻胶结构，形成第一基片，包括：

在铁电体晶体表面均匀覆盖一层光刻胶；

对覆盖光刻胶的铁电体晶体进行完全烘干，获得第二待曝光基片；

利用预设掩膜版对所述第二待曝光基片进行完全曝光，获得待显影基片，其中，所述预设掩膜版的镂空区域与钛扩散区域相对应；

对所述待显影基片进行显影处理，获得第一基片。