[发明专利]端面泵浦调Q固体激光器在审

专利信息
申请号: 201911410961.9 申请日: 2019-12-31
公开(公告)号: CN111146675A 公开(公告)日: 2020-05-12
发明(设计)人: 王彩丽;谢仕永;史小玄;蔡华;薄铁柱;李庆;廉姣;石钰;周东站;王辰;刘畅;刘辉 申请(专利权)人: 中国建筑材料科学研究总院有限公司
主分类号: H01S3/094 分类号: H01S3/094;H01S3/0941;H01S3/115;H01S3/117;H01S3/121
代理公司: 北京鼎佳达知识产权代理事务所(普通合伙) 11348 代理人: 张晓萍;刘铁生
地址: 100024*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 端面 泵浦调 固体激光器
【权利要求书】:

1.一种端面泵浦调Q固体激光器,其特征在于,包括依次位于同一光路上的半导体激光器、光学耦合系统、增益介质、调Q元件和谐振腔后腔镜,其中,所述光学耦合系统包括:

准直透镜,使泵浦光变成平行光;

聚焦透镜,使平行光聚焦;和

玻璃棒,对泵浦光进行匀化;

所述准直透镜、聚焦透镜、玻璃棒沿激光光路依次放置。

2.根据权利要求1所述的端面泵浦调Q固体激光器,其特征在于,

所述玻璃棒的折射率为1.4~1.6。

3.根据权利要求1所述的端面泵浦调Q固体激光器,其特征在于,

所述玻璃棒的长度L与端面圆直径d之比L/d为1~20。

4.根据权利要求1所述的端面泵浦调Q固体激光器,其特征在于,

所述准直透镜为柱透镜、非球面透镜或球面透镜。

5.根据权利要求1所述的端面泵浦调Q固体激光器,其特征在于,

所述聚焦透镜为柱透镜、非球面透镜或球面透镜。

6.根据权利要求1所述的端面泵浦调Q固体激光器,其特征在于,

所述半导体激光器为InGaAs半导体激光二极管阵列。

7.根据权利要求1所述的端面泵浦调Q固体激光器,其特征在于,

所述增益介质为掺有稀土离子的激光晶体。

8.根据权利要求1所述的端面泵浦调Q固体激光器,其特征在于,

所述半导体激光器的泵浦方式是端面泵浦,定义靠近泵浦源的一面为所述的增益介质的泵浦端面,远离泵浦源的一面为所述的激光介质主体的非泵浦端面,所述的泵浦端面镀有第一介质膜,所述的第一介质膜对泵浦光的透过率≥90%,对振荡光的反射率≥99%,所述的非泵浦端面镀有第二介质膜,所述的第二介质膜对振荡光的透过率≥90%。

9.根据权利要求1所述的端面泵浦调Q固体激光器,其特征在于,

所述调Q元件为机械Q开关、电光Q开关、声光Q开关或被动Q开关。

10.根据权利要求1所述的端面泵浦调Q固体激光器,其特征在于,

所述谐振腔后腔镜在输出镜靠近激光介质的一端表面有对振荡光透过率为20~70%的介质膜。

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