[发明专利]一种降低烧结钕铁硼薄片磁体不可逆损失、提高其使用温度的方法有效

专利信息
申请号: 201911411768.7 申请日: 2019-12-31
公开(公告)号: CN110993312B 公开(公告)日: 2022-01-28
发明(设计)人: 彭步庄;李广军;王帅;王娇;魏蕊 申请(专利权)人: 烟台正海磁性材料股份有限公司;江华正海五矿新材料有限公司
主分类号: H01F41/02 分类号: H01F41/02;H01F1/057
代理公司: 烟台上禾知识产权代理事务所(普通合伙) 37234 代理人: 赵加鑫
地址: 264006 山东省*** 国省代码: 山东;37
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摘要:
搜索关键词: 一种 降低 烧结 钕铁硼 薄片 磁体 可逆 损失 提高 使用 温度 方法
【权利要求书】:

1.一种降低烧结钕铁硼薄片磁体不可逆损失、提高其使用温度的方法,其特征在于,步骤如下:

(1)取不合格烧结钕铁硼薄片磁体作为原始磁体,除去表面氧化物,超声清洗,吹干;

(2)取扩散源磁体,所述扩散源磁体为RxMyBzFe(100-x-y-z),且磁体中的氧元素O、碳元素C、氮元素N含量均≤900ppm,其中,R为Nd或Pr中的一种或两种,M为Cu或Al中的一种或两种,B为硼,Fe为铁,x、y、z、(100-x-y-z)为各元素的重量百分比,33≤x≤37,1≤y≤4,0.7≤z≤0.85;所述扩散源磁体与步骤(1)的原始磁体间隔排列,每个原始磁体紧密夹在扩散源磁体之间,放入料盒;其中,所述扩散源磁体的尺寸大于所述原始磁体的尺寸;所述不合格烧结钕铁硼薄片磁体和扩散源磁体的取向方向为厚度方向,且厚度方向上下两面的平行度≤0.1mm;

(3)将步骤(2)的料盒放入真空烧结炉中,保持真空状态,在600-650℃条件下热处理5-10h;热处理结束后,向真空烧结炉中通入氩气,冷却至300℃以下,再抽出氩气保持高真空状态,在450-550℃条件下进行3-6h的二级热处理,通入氩气冷却至80℃以下;得到不可逆损失小于5%、使用温度高于110℃的薄片磁体。

2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,步骤(1)中,所述不合格烧结钕铁硼薄片磁体为不可逆损失大于10%的烧结钕铁硼薄片磁体;

所述不合格烧结钕铁硼薄片磁体的厚度为0.3-5mm,稀土总量Re≤32.5%。

3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,步骤(3)中,从真空烧结炉中取出的扩散源磁体循环使用。

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