[发明专利]光电探测器及其制备方法有效
申请号: | 201911412413.X | 申请日: | 2019-12-31 |
公开(公告)号: | CN113066873B | 公开(公告)日: | 2022-10-11 |
发明(设计)人: | 邓承雨;芦子哲 | 申请(专利权)人: | TCL科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/09;H01L31/101;H01L31/18 |
代理公司: | 深圳中一联合知识产权代理有限公司 44414 | 代理人: | 张杨梅 |
地址: | 516006 广东省惠州市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光电 探测器 及其 制备 方法 | ||
1.一种光电探测器,其特征在于,包括:第一电极、第二电极、设置在所述第一电极和所述第二电极之间的发光层,以及设置在所述发光层和所述第一电极之间的增强层;
所述增强层的材料包括:金属纳米颗粒和光子晶体,且所述增强层包括依次层叠设置的光子晶体层和金属纳米颗粒层,所述光子晶体层包括所述光子晶体,所述金属纳米颗粒层包括所述金属纳米颗粒;其中,所述金属纳米颗粒的粒径为50-200纳米,所述光子晶体层的厚度为1-10微米,所述金属纳米颗粒层的厚度为100-150nm,所述第一电极为透明电极,所述增强层能够接收经所述第一电极入射过来的光线,在金属纳米颗粒和光子晶体的接触界面产生局部电场。
2.根据权利要求1所述的光电探测器,其特征在于,所述光子晶体层与所述金属纳米颗粒层的接触界面上物理掺杂有所述金属纳米颗粒。
3.根据权利要求1或2所述的光电探测器,其特征在于,所述发光层的发射光波长为400-450nm;
所述金属纳米颗粒的粒径为50-80纳米;
所述光子晶体的粒径为200-350纳米。
4.根据权利要求1或2所述的光电探测器,其特征在于,所述发光层的发射光波长为500-550nm;
所述金属纳米颗粒的粒径为80-120纳米;
所述光子晶体的粒径为350-500纳米。
5.根据权利要求1或2所述的光电探测器,其特征在于,所述发光层的发射光波长为600-650nm;
所述金属纳米颗粒的粒径为120-180纳米;
所述光子晶体的粒径为500-700纳米。
6.根据权利要求1或2所述的光电探测器,其特征在于,所述增强层中的所述金属纳米颗粒和所述光子晶体的重量比为(2-5):1。
7.根据权利要求1或2所述的光电探测器,其特征在于,所述光子晶体的材料选自聚甲基丙烯酸甲酯、蛋白石、聚碳酸酯和聚苯乙烯中的至少一种。
8.根据权利要求1或2所述的光电探测器,其特征在于,所述金属纳米颗粒选自金纳米颗粒、银纳米颗粒、铜纳米颗粒、锌纳米颗粒和铂纳米颗粒中的至少一种。
9.一种光电探测器的制备方法,其特征在于,包括以下制备增强层的步骤:
在基板上沉积增强层,所述增强层的材料包括:金属纳米颗粒和光子晶体,且所述增强层包括依次设置的光子晶体层和金属纳米颗粒层,所述光子晶体层包括所述光子晶体,所述金属纳米颗粒层包括所述金属纳米颗粒;
所述基板为第一电极时,在基板上沉积增强层的步骤包括:在所述第一电极上沉积增强层;
所述基板为第二电极时,所述制备方法包括:在所述第二电极上沉积发光层,且在基板上沉积增强层的步骤包括:在所述发光层上沉积增强层;
其中,所述金属纳米颗粒的粒径为50-200纳米,所述光子晶体层的厚度为1-10微米,所述金属纳米颗粒层的厚度为100-150nm,所述第一电极为透明电极,所述增强层能够接收经所述第一电极入射过来的光线,在金属纳米颗粒和光子晶体的接触界面产生局部电场。
10.根据权利要求9所述的制备方法,其特征在于,在基板上沉积增强层的步骤包括:
在所述基板上沉积光子晶体层;
在所述光子晶体层上沉积金属纳米颗粒溶液,进行加热处理,形成增强层。
11.根据权利要求9或10所述的制备方法,其特征在于,所述增强层中的所述金属纳米颗粒和所述光子晶体的重量比例为(2-5):1。
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