[发明专利]控制电压切换电路及相应的升压电路

权利要求书

1.一种控制电压切换电路，其特征在于，所述的控制电压切换电路包括：

比较电压生成模块，用于根据升压电压生成一个比较电压；

电平比较模块，用于将所述的比较电压与输入电压进行比较；

控制电压生成模块，分别与所述的比较电压生成模块的输出端和电平比较模块的输出端相连接，当所述的输入电压大于所述的比较电压时，所述的控制电压生成模块的输出端输出的控制电压的值等于所述的输入电压，当所述的比较电压大于所述的输入电压时，所述的控制电压生成模块的输出端输出的控制电压的值随所述的比较电压的值上升而上升。

2.根据权利要求1所述的控制电压切换电路，其特征在于，所述的比较电压生成模块包括：第一NMOS管、第二NMOS管及第一电阻；

所述的第一NMOS管的漏极及所述的第一电阻的第一端同时与所述的升压电压相连接，所述的第一NMOS管的栅极与所述的第一电阻的第二端共同构成所述的比较电压生成模块的输出端，所述的第一NMOS管的源极与所述的第二NMOS管的漏极相连接，所述的第二NMOS管的栅极与偏置电压相连接，所述的第二NMOS管的源极接地，其中，所述的第一NMOS管的源极与所述的第二NMOS管的漏极的连接处的电压即为所述的比较电压。

3.根据权利要求2所述的控制电压切换电路，其特征在于，当所述的比较电压大于所述的输入电压时，所述的控制电压生成模块的输出端输出的控制电压的值等于所述的比较电压的值减去所述的第一NMOS管的阈值电压的值后得到的电压值。

4.根据权利要求2所述的控制电压切换电路，其特征在于，所述的比较电压生成模块还包括齐纳管，所述的齐纳管的阴极与所述的第一电阻的第二端相连接，所述的齐纳管的阳极接地。

5.根据权利要求4所述的控制电压切换电路，其特征在于，当所述的比较电压大于所述的输入电压，且小于所述的齐纳管的箝位电压时，所述的控制电压生成模块的输出端输出的控制电压的值等于所述的比较电压的值减去所述的第一NMOS管的阈值电压的值后得到的电压值；当所述的比较电压大于所述的齐纳管的箝位电压时，所述的控制电压生成模块的输出端输出的控制电压的值等于所述的齐纳管的箝位电压的值减去所述的第一NMOS管的阈值电压的值后得到的电压值。

6.根据权利要求2所述的控制电压切换电路，其特征在于，所述的第一NMOS管的源极与该第一NMOS管的衬底短接。

7.根据权利要求1所述的控制电压切换电路，其特征在于，所述的电平比较模块包括比较器，所述的比较器的同相端接所述的比较电压，所述的比较器的反相端接所述的输入电压，所述的比较器的输出端构成所述的电平比较模块的输出端，所述的比较器的电源端与所述的控制电压生成模块的输出端相连接。

8.根据权利要求1所述的控制电压切换电路，其特征在于，所述的控制电压生成模块包括第一PMOS管、第三NMOS管及第二电阻；

所述的第一PMOS管的栅极与所述的电平比较模块的输出端相连接，所述的第一PMOS管的漏极通过所述的第二电阻与所述的输入电压相连接；

所述的第三NMOS管的栅极与所述的比较电压生成模块的输出端相连接，所述的第三NMOS管的漏极与所述的升压电压相连接；

所述的第一PMOS管的源极与所述的第三NMOS管的源极共同构成所述的控制电压生成模块的输出端。

9.根据权利要求8所述的控制电压切换电路，其特征在于，所述的第一PMOS管的源极与该第一PMOS管的衬底短接，所述的第三NMOS管的源极与该第三NMOS管的衬底短接。

10.一种升压电路，包括开关管，其特征在于，所述的升压电路包括权利要求1至9中任一项所述的控制电压切换电路，所述的控制电压切换电路中的控制电压生成模块的输出端与所述的开关管的控制端相连接。