[发明专利]半导体装置及其控制方法

权利要求书

1.一种半导体装置，具备：

半导体部，包含第一导电型的第一半导体层，且具有第一面和位于上述第一面的相反侧的第二面；

第一电极，设置在上述第一面上；

第二电极，设置在上述第二面上；

第一控制电极，设置在上述第一电极与上述半导体部之间，隔着第一绝缘膜而被从上述半导体部电绝缘，且隔着第二绝缘膜而被从上述第一电极电绝缘；

第二控制电极，设置在上述第一电极与上述半导体部之间，隔着第三绝缘膜而被从上述半导体部电绝缘，隔着第四绝缘膜而被从上述第一电极电绝缘，且与上述第一控制电极相独立地被施加偏压；以及

第三控制电极，设置在上述第一电极与上述半导体部之间，隔着第五绝缘膜而被从上述半导体部电绝缘，隔着第六绝缘膜而被从上述第一电极电绝缘，且与上述第一控制电极以及上述第二控制电极相独立地被施加偏压，

上述半导体部还包含：

第二导电型的第二半导体层，选择性地设置在上述第一半导体层与上述第一电极之间；

第一导电型的第三半导体层，选择性地设置在上述第二半导体层与上述第一电极之间；以及

第二导电型的第四半导体层，设置在上述第一半导体层与上述第二电极之间，

上述第二半导体层隔着上述第一绝缘膜而与上述第一控制电极面对，隔着上述第三绝缘膜而与上述第二控制电极面对，且隔着上述第五绝缘膜而与上述第三控制电极面对。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

上述第一控制电极、上述第二控制电极以及上述第三控制电极配置在设置于上述半导体部的上述第一面侧的沟道的内部。

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，

上述半导体部还包含第一导电型的第五半导体层，该第五半导体层设置在上述第一半导体层与上述第四半导体层之间，且包含浓度比上述第一半导体层的第一导电型杂质高的第一导电型杂质。

4.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，

上述半导体部还包含第一导电型的第六半导体层，该第六半导体层设置在上述第一半导体层与上述第二半导体层之间，且包含浓度比上述第一半导体层的第一导电型杂质高的第一导电型杂质。

5.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，

上述半导体部还包含多个第二导电型的第七半导体层，该第七半导体层选择性地设置在上述第二半导体层与上述第一电极之间，

上述第三半导体层和上述第七半导体层在上述第二半导体层与上述第一电极之间并排配置，

上述第三半导体层配置在与上述第一绝缘膜接触的位置，

上述第七半导体层配置在与上述第三绝缘膜或上述第五绝缘膜接触的位置，

上述第一控制电极配置成隔着上述第一绝缘膜而与上述第一半导体层、上述第二半导体层以及上述第三半导体层面对，

上述第二控制电极配置成隔着上述第三绝缘膜而与上述第一半导体层、上述第二半导体层以及上述第七半导体层面对，

上述第三控制电极配置成隔着上述第五绝缘膜而与上述第一半导体层、上述第二半导体层以及上述第七半导体层面对。

6.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，

还具备：

第一配线，与上述第一控制电极电连接；

第一栅极焊盘，由上述第一配线连接；

第二配线，与上述第二控制电极电连接；

第二栅极焊盘，由上述第二配线连接；

第三配线，与上述第三控制电极电连接；以及

第三栅极焊盘，由上述第三配线连接。