[发明专利]组合物及其制备方法和发光二极管在审

专利信息
申请号: 201911413533.1 申请日: 2019-12-31
公开(公告)号: CN113122064A 公开(公告)日: 2021-07-16
发明(设计)人: 何斯纳;吴龙佳;吴劲衡 申请(专利权)人: TCL集团股份有限公司
主分类号: C09D11/36 分类号: C09D11/36;C09D11/38;H01L51/54
代理公司: 深圳中一联合知识产权代理有限公司 44414 代理人: 张杨梅
地址: 516006 广东省*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 组合 及其 制备 方法 发光二极管
【说明书】:

发明属于显示技术领域,尤其涉及一种组合物及其制备方法和发光二极管。本发明提供的组合物包括:量子点10%‑30%、阴离子表面活性剂1%‑3%、非离子表面活性剂1%‑3%、增溶剂0%‑3%、添加剂0%‑5%和溶剂56%‑87%;增溶剂选为极性有机溶剂,溶剂选为非极性有机溶剂。具有良好的相容性、均匀性和稳定性,且表面张力低,润湿性好,具有良好的成膜性能,有利于形成均匀致密的量子点薄膜,可作为墨水,应用于喷墨打印法制备发光二极管的发光层。

技术领域

本发明属于显示技术领域,尤其涉及一种组合物及其制备方法和发光二极管。

背景技术

随着科技的不断进步,量子点发光二极管(Quantum Dot,QD)以其外观极薄、色域更宽、纯度高、亮度高、启动电压低、稳定性更好的独特优势逐渐兴起,并可能成为取代有机发光二极管(OLED)的新一代显示产品。半导体量子点具有量子尺寸效应,人们通过调控量子点的大小来实现所需要的特定波长的发光,例如可通过调节CdSe QDs的尺寸使其发光波长调谐范围可以从蓝光一直到红光。QLED的器件结构一般包括阳极层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层和阴极,电子和空穴分别从阴极和阳极注入,然后在发光层复合形成激子发光。

制备QLED的传统方法主要采用溅射、化学沉积等方式在玻璃基质上沉积形成多晶硅或者金属氧化物半导体膜层,这种制备方法的成本较高以及工艺较为复杂。由于喷墨打印技术无需采用掩膜版,对用于沉积材料的衬底的要求低,可以精确地按所需用量将材料沉积在目标位置,生产成本低,工艺简便,容易规模化量产,降低成本,使得喷墨打印技术成为了当前QLED制备领域的热门技术。

采用喷墨打印法打印发光层时,常将量子点材料直接分散在溶剂制得墨水,然后打印在载流子传输层上。为了防止打印时墨水与载流子传输层发生互溶,墨水的极性常与载流子传输层的极性相反,这导致了打印的墨水在亲极性的载流子传输层表面形成相互排斥的界面,影响了墨水的成膜,导致形成的发光层表面粗糙,均匀性差等问题,对QLED器件的发光性能造成了极大的影响。

发明内容

本发明的主要目的在于解决量子点墨水成膜性能差的问题。

本发明采用的技术方案如下:

一种组合物,以所述组合物的总重量为100%计,所述组合物包括以下重量份组分:

本发明提供的组合物,由特定重量份的量子点、阴离子表面活性剂、非离子表面活性剂、增溶剂和溶剂复配形成,各组分协同作用,赋予了所述组合物良好的相容性、均匀性、稳定性和低表面张力,润湿性好,具有良好的成膜性能,有利于形成均匀致密的量子点薄膜,可作为墨水,应用于喷墨打印法制备发光二极管的发光层。

组合物中,阴离子表面活性剂通过电离形成阴离子,阴离子能够与量子点表面的金属原子结合,有利于形成双电层胶束粒子,促进量子点能够稳定地分散在溶剂中;同时,非离子表面活性剂的极性头可通过与量子点的金属原子配位结合,使得非离子表面活性剂固定在量子点的表面,非离子表面活性剂的非极性头在溶剂中充分伸展形成位阻层,阻碍量子点间碰撞而避免发生量子点团聚,由此,通过阴离子表面活性剂和非离子表面活性剂在溶剂中分别复合量子点形成胶束粒子的作用下,大大提高了量子点在溶剂中的分散性。另外,由于部分非离子表面活性剂的极性头可插入到阴离子表面活性剂的阳离子头之间从而与量子点结合,由此产生离子头与极性头之间的离子-偶极子相互作用,使得双电层胶束粒子的阴离子头之间的电性斥力减弱,减少了胶束粒子表面的电荷密度,有利于促进形成胶束粒子,降低了墨水的临界胶束浓度(CMC值),从而大大提高墨水的表面活性,进而降低墨水的表面张力,可促进墨滴形成,以及降低墨水在基质上的接触角,从而促进墨水在基质成膜,获得均匀致密的膜层,减少膜层不均匀导致漏电流过大、启亮电压大的影响,进而增加器件的发光效率,提高器件的发光性能。

相应的,一种组合物的制备方法,包括以下步骤:

将量子点溶解在溶剂中形成第一混合溶液;

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