[发明专利]显示器件及其制备方法、显示装置在审
申请号: | 201911414745.1 | 申请日: | 2019-12-31 |
公开(公告)号: | CN112349750A | 公开(公告)日: | 2021-02-09 |
发明(设计)人: | 史文;陈亚文 | 申请(专利权)人: | 广东聚华印刷显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/56 |
代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 侯武娇 |
地址: | 510000 广东省广州市广州*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 器件 及其 制备 方法 显示装置 | ||
1.一种显示器件,其特征在于,包括:
基板,包括显示区和非显示区,所述非显示区围绕所述显示区设置;
像素电极,设置在所述基板的所述显示区上;
发光功能层,设置在所述像素电极上;
顶电极,设置在所述发光功能层上;
走线电极,设置在所述基板的所述非显示区上;及
电极连接层,连接所述走线电极与所述顶电极。
2.根据权利要求1所述的显示器件,其特征在于,所述电极连接层设于所述顶电极和所述走线电极上并至少覆盖部分的所述显示区。
3.根据权利要求2所述的显示器件,其特征在于,所述电极连接层为透明导电膜层;或者
所述电极连接层为非透明导电膜层,所述非透明导电膜层覆盖部分的所述显示区。
4.根据权利要求1所述的显示器件,其特征在于,所述走线电极围绕所述显示区设置。
5.根据权利要求1所述的显示器件,其特征在于,所述显示器件还包括设于所述基板上的第一隔离墙,所述第一隔离墙在所述显示区围成多个像素开口,所述第一隔离墙在所述非显示区围成电极连接开口,所述走线电极设于所述电极连接开口内。
6.根据权利要求5所述的显示器件,其特征在于,所述显示器件还包括设于所述像素开口内的第二隔墙墙,所述第二隔离墙将所述像素开口分隔成多个子像素开口,且所述第二隔离墙的高度小于所述第一隔离墙的高度。
7.根据权利要求1所述的显示器件,其特征在于,所述顶电极呈条状。
8.根据权利要求1~7任一项所述的显示器件,其特征在于,所述走线电极的材料与所述像素电极的材料相同。
9.一种显示器件的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
提供基板,所述基板包括显示区和非显示区,所述非显示区围绕所述显示区设置;
于所述基板的所述显示区上形成像素电极,于所述基板的所述非显示区上形成走线电极;
于所述像素电极上形成发光功能层;
于所述发光功能层上形成顶电极;
形成电极连接层,所述电极连接层连接所述顶电极与所述走线电极。
10.一种显示装置,其特征在于,包括权利要求1~8任一项所述显示器件或采用权利要求9所述制备方法制备得到的显示器件。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的