[发明专利]提高底部金属与焊垫辨识度的方法在审

专利信息
申请号: 201911414833.1 申请日: 2019-12-31
公开(公告)号: CN113130335A 公开(公告)日: 2021-07-16
发明(设计)人: 尹佳山;周祖源;吴政达;林正忠 申请(专利权)人: 盛合晶微半导体(江阴)有限公司
主分类号: H01L21/60 分类号: H01L21/60
代理公司: 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 代理人: 佟婷婷
地址: 214437 江苏省无锡市江阴市*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 提高 底部 金属 辨识 方法
【权利要求书】:

1.一种提高底部金属与焊垫辨识度的方法,其特征在于,所述方法包括:

提供基底;

于所述基底上形成第一掩膜层,所述第一掩膜层包括定义底部金属位置的第一窗口;

于所述第一窗口中形成所述底部金属;

去除所述第一掩膜层;

于所述基底上形成第二掩膜层,所述第二掩膜层包围所述底部金属且所述第二掩膜层包括定义焊垫的第二窗口,所述第二窗口显露所述底部金属;

于所述第二窗口中形成焊垫;

去除所述第二掩膜层;

对形成有所述底部金属及所述焊垫的结构进行氧化处理,以于所述焊垫周围的所述底部金属表面形成金属氧化物层;以及

于所述焊垫上制备金属线。

2.根据权利要求1所述的提高底部金属与焊垫辨识度的方法,其特征在于,所述焊垫包括依次形成于所述第二窗口中所述底部金属表面的缓冲阻挡层及金属层。

3.根据权利要求2所述的提高底部金属与焊垫辨识度的方法,其特征在于,所述缓冲阻挡层包括Ni层;所述金属层包括Au层;所述底部金属的材料包括Cu。

4.根据权利要求2所述的提高底部金属与焊垫辨识度的方法,其特征在于,所述缓冲阻挡层的厚度介于1.8μm-2.2μm之间;所述金属层的厚度介于0.1μm-1μm之间;所述底部金属的厚度介于3μm-6μm之间。

5.根据权利要求1所述的提高底部金属与焊垫辨识度的方法,其特征在于,所述基底上还形成有种子层,所述第一窗口显露所述种子层,所述第一掩膜层及所述底部金属均形成于所述种子层上,其中,去除所述第一掩膜层之后去除所述种子层。

6.根据权利要求5所述的提高底部金属与焊垫辨识度的方法,其特征在于,所述种子层包括依次形成于所述基底上的粘附层及上金属层,其中,所述上金属层的材料与所述底部金属的材料相同,所述粘附层包括Ti层。

7.根据权利要求1所述的提高底部金属与焊垫辨识度的方法,其特征在于,所述基底包括支撑层、形成于所述支撑层上的剥离层以及形成于所述剥离层上的介质层,其中,所述底部金属基于所述第一窗口形成于所述介质层上。

8.根据权利要求1所述的提高底部金属与焊垫辨识度的方法,其特征在于,制备所述金属线的工艺包括打线工艺。

9.根据权利要求1所述的提高底部金属与焊垫辨识度的方法,其特征在于,进行所述氧化处理的温度介于100℃-200℃之间,氧气的百分比含量介于1%-20%之间。

10.根据权利要求1-8中任意一项所述的提高底部金属与焊垫辨识度的方法,其特征在于,进行所述氧化处理之后还包括去除所述金属氧化物层的步骤。

11.根据权利要求10所述的提高底部金属与焊垫辨识度的方法,其特征在于,采用去除液去除所述金属氧化物层,所述去除液包括H2SO4、H3PO4以及CH3COOH中的至少一种。

12.一种提高底部金属与焊垫辨识度的方法,其特征在于,所述方法包括:

提供基底;

于所述基底上形成第一掩膜层,所述第一掩膜层包括定义底部金属位置的第一窗口;

于所述第一窗口中形成所述底部金属;

于形成有所述底部金属及所述第一掩膜层的结构上形成第二掩膜层,所述第二掩膜层包括定义焊垫的第二窗口,且所述第二窗口显露所述底部金属;

于所述第二窗口中形成焊垫;

去除所述第二掩膜层及所述第一掩膜层;

对形成有所述底部金属及所述焊垫的结构进行氧化处理,以于所述焊垫周围的所述底部金属表面形成金属氧化物;以及

于所述焊垫上制备金属线。

13.根据权利要求12所述的提高底部金属与焊垫辨识度的方法,其特征在于,所述焊垫的面积介于所述底部金属面积的1%-10%之间。

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