[发明专利]提高底部金属与焊垫辨识度的方法及半导体结构

说明书

本发明提供一种提高底部金属与焊垫辨识度的方法及半导体结构，所述方法包括：提供基底，形成具有第一窗口第一掩膜层、底部金属，去除第一掩膜层，形成修复金属层，形成具有第二窗口的第二掩膜层，形成焊垫，去除第二掩膜层及部分修复金属层，再在焊垫上形成金属线。本发明在去除第一掩膜层后在底部金属及其周围的基底上形成修复金属层，修复金属层具有比底部金属更高的表面平整度，从而可以提高后续形成的焊垫的表面的平整度，可以使得焊垫的表面与焊垫周围的底部金属的表面之间的粗糙度差异变大，使得二者更容易辨识区分，从而有利于在焊垫上准确有效的制备金属线，提高金属线制备的良率。

技术领域

本发明属于封装领域，特别涉及一种提高底部金属与焊垫辨识度的方法及半导体结构。

背景技术

晶圆级封装(Wafer Level Packaging，WLP)的一般定义为：直接在晶圆(Wafer)上进行大多数或全部的封装及测试程序，之后再进行切割(Singulation)制成单颗芯片(Chip)。由于WLP具有较高的封装密度、较快的封装速度及较低的封装成本，已成为目前较为先进的封装方法之一，得到了广泛的应用。

现有封装工艺中，存在焊垫较粗糙，表面不平整以及焊垫表面存在缺陷等问题，另外，需要对金属层以及形成在这一金属层上的引出焊垫进行识别区分，存在二者之间难以有效区分的问题，例如，在封装工艺中，当在接地金属(如GND Cu)上形成焊垫金属之后，往往需要将二者辨识，从而可以在焊垫金属上制备金属线，如果裸露的接地金属的表面与焊垫金属的表面存在缺陷，或者二者之间的形貌、粗糙度等影响辨识的因素较接近，则难以将二者进行有效区分，势必影响后续金属线制备的良率，影响产品的良率。

因此，如何提供一种提高底部金属与焊垫辨识度的方法及半导体结构以解决上述问题实属必要。

发明内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种提高底部金属与焊垫辨识度的方法及半导体结构，用于解决现有技术中焊垫表面不平整、表面存在缺陷以及焊垫与其周围的底部金属之间的辨识度较差难以有效区分等问题。

为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种提高底部金属与焊垫辨识度的方法，所述方法包括：

提供基底；

于所述基底上形成第一掩膜层，所述第一掩膜层包括定义底部金属位置的第一窗口；

于所述第一窗口中形成所述底部金属；

去除所述第一掩膜层；

于所述底部金属及其周围的所述基底上形成修复金属层；

于所述修复金属层上形成第二掩膜层，所述第二掩膜层包括定义焊垫的第二窗口，所述第二窗口对应位于所述底部金属上并显露所述修复金属层；

于所述第二窗口中形成焊垫；

去除所述第二掩膜层及所述焊垫周围的所述修复金属层，并于所述焊垫上制备金属线。

可选地，所述焊垫包括依次形成于所述第二窗口中所述底部金属表面的缓冲阻挡层及金属层。

可选地，所述缓冲阻挡层包括Ni层；所述金属层包括Au层；所述底部金属材料包括Cu。

可选地，所述缓冲阻挡层的厚度介于1.8μm-2.2μm之间；所述金属层的厚度介于0.1μm-1μm之间；所述底部金属的厚度介于3μm-6μm之间。

可选地，所述基底上还形成有种子层，所述第一窗口显露所述种子层，所述第一掩膜层及所述底部金属均形成于所述种子层上，其中，去除所述第一掩膜层之后去除所述种子层。

可选地，所述种子层包括依次形成于所述基底上的粘附层及上金属层，其中，所述上金属层的材料与所述底部金属的材料相同，所述粘附层包括Ti层。