[发明专利]聚酰亚胺薄膜及其制备方法及射频挠性印制电路的基膜

说明书

一种聚酰亚胺薄膜的制备方法，包括制备聚酰胺酸树脂溶液，过滤后待用，聚酰胺酸树脂溶液的固含量控制在15～35wt.％范围内，粘度控制在10～45x10⁴mPa·s范围内；称取一定量的聚酰胺酸树脂溶液，真空脱泡后进行亚胺化，得到自支撑半固化胶膜；将自支撑半固化胶膜固定于框架上，对自支撑半固化胶膜升温加热至设定温度后，冷却至室温，得到聚酰亚胺初级薄膜；将得到的聚酰亚胺初级薄膜经过退火处理，得到聚酰亚胺薄膜。上述聚酰亚胺薄膜及其制备方法及射频挠性印制电路的基膜，不限于一种制备方法，制备的聚酰亚胺薄膜具有低介电常数、低介电损耗、低热膨胀系数等特性，综合性能优异，满足高频挠性射频印制电路的使用要求。

技术领域

本发明涉及高分子材料领域，尤其涉及一种聚酰亚胺薄膜及其制备方法及射频挠性印制电路的基膜。

背景技术

随着高频通讯技术的快速发展，挠性射频印制电路基板在高频下信号传输损耗超过了金属导体，降低薄膜基板材料的高频传输损耗成为一个急需解决的技术难题。挠性射频印制电路通常由高耐热聚酰亚胺薄膜或液晶聚合物薄膜作为基膜，在其表面粘结导电铜箔后形成挠性覆铜板，经光刻工艺将铜箔蚀刻成导电线路后而成。液晶聚合物薄膜虽然具有突出的高频传输性能，但由于其液晶相态在高温下容易发生变化，导致所制备的多层射频印制电路的介电常数和介电损耗与设计值存在偏差，而且不易精确控制。传统聚酰亚胺薄膜覆铜板的聚酰亚胺基膜由于介电损耗高，导致高频信号传输损耗大，无法满足高频信号传输的使用要求。

发明内容

有鉴于此，有必要提供一种聚酰亚胺薄膜及其制备方法及挠性印制电路的基膜，其制备出的聚酰亚胺薄膜综合性能优异。

一种聚酰亚胺薄膜的制备方法，所述方法包括以下步骤：

通过方法1或方法2制备聚酰胺酸树脂溶液，所述方法1包括以下步骤：

分别称取一定量的芳香族二胺A固体粉料、含氟芳香族二胺B固体粉料和芳香族二胺C固体粉料，将其加入惰性气体保护的盛有一定量极性非质子溶剂的反应器中，在室温至60℃温度下搅拌溶解形成均相芳香族二胺溶液；

称取一定量的芳香族二酐粉料，在搅拌下于-10℃至60℃温度将其加入上述的均相芳香族二胺溶液中，通过芳香族二胺与芳香族二酐的缩聚反应形成粘稠的聚酰胺酸树脂溶液，过滤后待用，聚酰胺酸树脂溶液的固含量控制在15～35wt.％范围内，粘度控制在10～45x10⁴mPa·s范围内；

所述方法2包括以下步骤：

称取一定量的芳香族二胺A固体粉料和一定量的含氟芳香族二胺B固体粉料，将其加入惰性气体保护的盛有一定量极性非质子溶剂的反应器中，在室温至60℃温度下搅拌溶解形成均相芳香族二胺溶液；

称取一定量的芳香族二酐粉料，在搅拌下于-10℃至60℃温度将其分批加入上述均相芳香族二胺溶液中，搅拌反应一定时间形成具有一定粘度的中间树脂溶液；

称取一定量的芳香族二胺C，在搅拌下加入到上述中间树脂溶液中，或先将芳香族二胺C溶解或分散于一定量的极性非质子溶剂形成芳香族二胺C溶液或悬浮液，在搅拌下加入到上述中间树脂溶液中；

称取一定量的芳香族二酐粉料，将其在搅拌下加入上述的中间树脂溶液中，反应一定时间后形成粘稠的聚酰胺酸树脂溶液，过滤后待用，聚酰胺酸树脂溶液的固含量控制在15～35wt.％范围内，粘度控制在10～45x10⁴mPa·s范围内；

称取一定量所述方法1或方法2制得的聚酰胺酸树脂溶液，真空脱泡后进行亚胺化，得到自支撑半固化胶膜；

将得到的自支撑半固化胶膜固定于框架上，对自支撑半固化胶膜升温加热至设定温度后，冷却至室温，得到聚酰亚胺初级薄膜；

将得到的聚酰亚胺初级薄膜经过退火处理，得到聚酰亚胺薄膜。