[发明专利]谐振器及其形成方法

权利要求书

1.一种谐振器的形成方法，其特征在于，包括：

提供第一衬底；

在所述第一衬底上形成压电叠层结构，所述压电叠层结构包括第一区域，所述压电叠层结构与所述第一衬底相接触的面为第一正面；

在所述第一区域上形成覆盖所述压电叠层结构的牺牲层；

提供第二衬底；

在所述第二衬底上形成粘合层，所述粘合层与所述第二衬底相接触的面为第二正面，所述粘合层与所述第二正面相背的面为第二背面；

将所述粘合层的第二背面贴合于所述牺牲层以及所述牺牲层暴露出的压电叠层结构上，使粘合层覆盖所述牺牲层的侧壁且填充于第二衬底与压电叠层结构之间；

在实现所述贴合后，去除所述第一衬底，暴露出所述压电叠层结构的第一正面；

形成贯穿所述压电叠层结构的释放孔，或者，形成贯穿所述第二衬底的释放孔，所述释放孔暴露出所述牺牲层；

通过所述释放孔去除所述牺牲层，形成空腔。

2.如权利要求1所述的谐振器的形成方法，其特征在于，在形成所述压电叠层结构的步骤中，所述压电叠层结构包括第一电极层、位于所述第一电极层上的压电层以及位于所述压电层上的第二电极层，所述第一电极层与所述第一衬底相接触的面为所述第一正面。

3.如权利要求2所述的谐振器的形成方法，其特征在于，在所述第一衬底上形成压电叠层结构后，在所述第一区域上形成覆盖所述压电叠层结构的牺牲层之前，所述谐振器的形成方法还包括：对所述第二电极层进行图形化处理，暴露出位于所述第一区域的部分压电层的顶面。

4.如权利要求2所述的谐振器的形成方法，其特征在于，在所述第一衬底上形成压电叠层结构之后，形成所述牺牲层之前，所述谐振器的形成方法还包括：在所述第一区域的压电叠层结构中形成第一沟槽，所述第一沟槽的底部暴露出所述第一电极层；

形成所述空腔后，所述第一沟槽的开口与所述空腔相连通。

5.如权利要求2所述的谐振器的形成方法，其特征在于，在去除所述第一衬底，暴露出所述压电叠层结构的第一正面之后，所述谐振器的形成方法还包括：在所述第一区域的压电叠层结构中形成第二沟槽，所述第二沟槽的底部暴露出所述第二电极层；

在形成所述空腔后，所述第二沟槽的开口背向所述空腔，所述第二沟槽与所述空腔由所述第二电极层相隔离。

6.如权利要求1所述的谐振器的形成方法，其特征在于，所述粘合层的材料为可形变材料。

7.如权利要求1所述的谐振器的形成方法，其特征在于，所述粘合层的材料包括干膜或粘片膜。

8.如权利要求1所述的谐振器的形成方法，其特征在于，采用键合工艺，将所述粘合层的第二背面贴合于所述牺牲层以及所述牺牲层暴露出的压电叠层结构上。

9.如权利要求8所述的谐振器的形成方法，其特征在于，所述键合工艺的温度为50℃至300℃。

10.如权利要求1所述的谐振器的形成方法，其特征在于，形成所述粘合层的步骤中，所述粘合层的厚度为0.5μm至40μm。

11.如权利要求1所述的谐振器的形成方法，其特征在于，在将所述粘合层的第二背面贴合于所述牺牲层以及所述牺牲层所暴露出的压电叠层结构上的步骤中，所述牺牲层的顶面与所述第二衬底之间还保留有部分厚度的所述粘合层。

12.如权利要求11所述的谐振器的形成方法，其特征在于，在将所述粘合层贴合于所述牺牲层以及所述牺牲层所暴露出的压电叠层结构上的步骤中，位于所述牺牲层顶面与所述第二衬底之间的所述粘合层的厚度为0.5μm至35μm。