[发明专利]带电可擦除可编程只读存储器的操作方法

权利要求书

1.一种带电可擦除可编程只读存储器的操作方法，该带电可擦除可编程只读存储器包含有一半导体基板，其上设有至少一N型晶体管结构，该N型晶体管结构具有一第一导电闸极以及至少两个第一离子掺杂区位于该半导体基板内且位于该第一导电闸极的两侧，以分别作为源极和汲极，且该第一导电闸极与该源极和汲极交界处的该第一离子掺杂区内更植入同型离子，以增加其离子浓度，其特征在于，该操作方法包括：

于该第一导电闸极、源极、汲极及该半导体基板分别施加一闸极电压V_g、源极电压V_s、汲极电压V_d及基板电压V_subp，并满足下列条件：

对该N型晶体管结构进行写入时，满足V_subp为接地(0)，V_d为高压(HV)，V_s为浮接，且V_g为高压(HV)；或是，满足V_subp为接地(0)，V_s为高压(HV)，V_d为浮接，且V_g为高压(HV)；以及

对该N型晶体管结构进行抹除时，满足V_subp为接地(0)，V_d为高压(HV)，V_s为浮接，且V_g为浮接；或是，满足V_subp为接地(0)，V_s为高压(HV)，V_d为浮接，且V_g为浮接。

2.如权利要求1所述的带电可擦除可编程只读存储器的操作方法，其特征在于，该带电可擦除可编程只读存储器更包含有一电容结构，位于该半导体基板表面且与该至少一N型晶体管结构相隔离，该电容结构包括有一第二离子掺杂区位于该半导体基板内，以及一第二导电闸极电性连接该第一导电闸极，以作为单浮接闸极，此时该单浮接闸极施加该闸极电压V_g。

3.如权利要求1所述的带电可擦除可编程只读存储器的操作方法，其特征在于，植入该同型离子增加该半导体基板内或该第一离子掺杂区内的离子浓度的1至10倍。

4.如权利要求1所述的带电可擦除可编程只读存储器的操作方法，其特征在于，该N型晶体管结构为N型金属氧化半场效晶体管。

5.如权利要求1所述的带电可擦除可编程只读存储器的操作方法，其特征在于，该第一离子掺杂区更包含有一轻掺杂汲极。

6.一种带电可擦除可编程只读存储器的操作方法，该带电可擦除可编程只读存储器包含有一半导体基板，其上设有至少一P型晶体管结构，该P型晶体管结构具有一第一导电闸极以及至少两个第一离子掺杂区位于该半导体基板内且位于该第一导电闸极的两侧，以分别作为源极和汲极，且该第一导电闸极与该源极和汲极交界处的该第一离子掺杂区内更植入同型离子，以增加其离子浓度，其特征在于，该操作方法包括：

于该第一导电闸极、源极、汲极及该半导体基板分别施加一闸极电压V_g、源极电压V_s、汲极电压V_d及基板电压V_subn，并满足下列条件：

对该P型晶体管结构进行写入时，满足V_subn为高压(HV)，V_d为接地，V_s为浮接，且V_g为接地；或是，满足V_subn为高压(HV)，V_s为接地，V_d为浮接，且V_g为接地；以及

对该P型晶体管结构进行抹除时，满足V_subn为高压(HV)，V_d为接地，V_s为浮接，且V_g为浮接；或是，满足V_subn为高压(HV)，V_s为接地，V_d为浮接，且V_g为浮接。