[发明专利]一种开态负载开路检测电路和方法有效

专利信息
申请号: 201911415799.X 申请日: 2019-12-31
公开(公告)号: CN111157875B 公开(公告)日: 2021-11-02
发明(设计)人: 郎静;朱楠;王菁;权炜;陈智;邓广真;王林凡 申请(专利权)人: 西安翔腾微电子科技有限公司
主分类号: G01R31/28 分类号: G01R31/28;G01R31/54
代理公司: 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 代理人: 王海栋
地址: 710065 陕西省西安市*** 国省代码: 陕西;61
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摘要:
搜索关键词: 一种 负载 开路 检测 电路 方法
【权利要求书】:

1.一种开态负载开路检测电路,其特征在于,包括第一电压线性转换模块(101)、第二电压线性转换模块(102)、控制模块(103)和开关模块(104),其中,

所述第一电压线性转换模块(101)连接第一电源电压(Vhigh)的输入端,用于将所述第一电源电压(Vhigh)线性转换为第一低压信号;

所述第二电压线性转换模块(102)连接负载电压(Vin)的输入端,用于将所述负载电压(Vin)线性转换为第二低压信号;

所述控制模块(103)连接所述第一电压线性转换模块(101)和所述第二电压线性转换模块(102),用于比较所述第一低压信号与所述第二低压信号,并根据比较结果判断待测负载电路的通断;

所述开关模块(104)连接在所述第一电源电压(Vhigh)的输入端与所述负载电压(Vin)的输入端之间,用于为所述待测负载电路提供电流。

2.根据权利要求1所述的开态负载开路检测电路,其特征在于,所述开关模块(104)包括第一NMOS管(N1),所述第一NMOS管(N1)的漏极连接至所述第一电源电压(Vhigh)的输入端,源极连接至所述负载电压(Vin)的输入端,栅极输入NMOS管开启电压(Von);

在开路检测过程中,所述第一NMOS管(N1)处于导通状态,并且在判断出所述待测负载电路已开路时,所述第一NMOS管(N1)关断。

3.根据权利要求2所述的开态负载开路检测电路,其特征在于,所述第一电压线性转换模块(101)包括第二NMOS管(N2)、第一电阻(R1)、第二电阻(R2)和第三电阻(R3),其中,

所述第一电阻(R1)和所述第二电阻(R2)串联在所述第一电源电压(Vhigh)的输入端与接地端(GND)之间;

所述第三电阻(R3)连接在所述接地端(GND)与所述第二NMOS管(N2)的源极之间,所述第二NMOS管(N2)的栅极连接在所述第一电阻(R1)与所述第二电阻(R2)之间的节点处,所述第二NMOS管(N2)的漏极连接至第二电源电压(Vlow)的输入端;

所述控制模块(103)的第一输入端连接在所述第三电阻(R3)与所述第二NMOS管(N2)的源极之间。

4.根据权利要求3所述的开态负载开路检测电路,其特征在于,所述第二电压线性转换模块(102)包括第三NMOS管(N3)、第四电阻(R4)、第五电阻(R5)和第六电阻(R6),其中,

所述第四电阻(R4)和所述第五电阻(R5)串联在所述负载电压(Vin)的输入端与接地端(GND)之间;

所述第六电阻(R6)连接在所述接地端(GND)与所述第三NMOS管(N3)的源极之间,所述第三NMOS管(N3)的栅极连接在所述第四电阻(R4)与所述第五电阻(R5)之间的节点处,所述第三NMOS管(N3)的漏极连接至所述第二电源电压(Vlow)的输入端;

所述控制模块(103)的第二输入端连接在所述第六电阻(R6)与所述第三NMOS管(N3)的源极之间。

5.根据权利要求4所述的开态负载开路检测电路,其特征在于,所述第一电源电压(Vhigh)大于所述第二电源电压(Vlow)。

6.根据权利要求4所述的开态负载开路检测电路,其特征在于,所述第二NMOS管(N2)与所述第三NMOS管(N3)的结构相同,所述第一电阻(R1)与第四电阻(R4)的阻值相同,所述第二电阻(R2)与第五电阻(R5)的阻值相同,所述第三电阻(R3)与第六电阻(R6)的阻值相同。

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