[发明专利]一种T型光刻图形的根部腔壁角度调整及T型栅制作方法

权利要求书

1.一种T型光刻图形的根部腔壁角度调整及T型栅制作方法，其特征是包括以下步骤：

（1）在制备器件所需的外延层的基底表面旋涂电子束负胶；

（2）用电子束直写电子束负胶并显影形成图形；

（3）在图形上涂第二层胶；

（4）采用用电子束直写或传统光刻对第二层胶曝光并显影，形成T型光刻图形；

（5）在T型光刻图形上采用电子束蒸发，沉积相应的栅金属并剥离，形成T型金属栅结构。

2.根据权利要求1所述的一种T型光刻图形的根部腔壁角度调整及T型栅制作方法，其特征是所述步骤（1）中外延层基底为氮化镓基外延片、铟磷基外延片、砷化镓基外延片或金刚石外延片中的一种；所述外延片的衬底材料为硅、蓝宝石、碳化硅、氮化镓或氮化铝。

3.根据权利要求1所述的一种T型光刻图形的根部腔壁角度调整及T型栅制作方法，其特征是所述步骤（1）中电子束负胶型号为SAL601或HSQ。

4.根据权利要求1所述的一种T型光刻图形的根部腔壁角度调整及T型栅制作方法，其特征是所述步骤（2）中所述电子束在电子束负胶上直写的图形为所需图形的两侧区域；所述两侧图形之间距离为T型光刻图形的根部的宽度；所述两侧图形的宽度之和不小于第二层胶直写或者光刻的宽度。

5.根据权利要求1所述的一种T型光刻图形的根部腔壁角度调整及T型栅制作方法，其特征是所述步骤（2）中T型光刻图形的根部腔壁角度θ通过调节电子束直写的剂量或者显影时间来调整。

6.根据权利要求1所述的一种T型光刻图形的根部腔壁角度调整及T型栅制作方法，其特征是所述步骤（3）中所述第二层胶为电子束正胶或传统光刻胶。