[发明专利]一种电子设备有效
申请号: | 201911417159.2 | 申请日: | 2019-12-31 |
公开(公告)号: | CN111029725B | 公开(公告)日: | 2021-09-24 |
发明(设计)人: | 李日辉;张声陆 | 申请(专利权)人: | 维沃移动通信有限公司 |
主分类号: | H01Q1/22 | 分类号: | H01Q1/22;H01Q1/24;H01Q1/36;H01Q1/44;H01Q1/48;H01Q1/50;H01Q1/52 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 许静;安利霞 |
地址: | 523860 广东省*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 电子设备 | ||
1.一种电子设备,其特征在于,包括:
壳体(1),包括边框;
电磁器件;
设置于所述壳体(1)内部的接地板(3);
设置于所述壳体(1)内部的第一辐射体(5),所述第一辐射体(5)设有馈电点;
与所述第一辐射体(5)间隔设置的第二辐射体(6),所述第二辐射体(6)与所述边框的第一边框(11)的距离小于所述第一辐射体(5)与所述第一边框(11)的距离;所述第一辐射体(5)与所述第二辐射体(6)之间形成间隙,所述第一辐射体和所述第二辐射体通过所述间隙形成容性耦合;
所述第一辐射体(5)与所述电磁器件之间的最短距离,大于所述第二辐射体(6)与所述电磁器件之间的最短距离,和/或所述第一辐射体(5)在所述接地板(3)上的投影区域的面积超过预设面积;所述预设面积为所述接地板(3)面积的三分之一;
所述第一辐射体(5)在目标频段内产生第一电流,所述第二辐射体(6)在目标频段内产生第二电流,所述第一电流的最大值大于所述第二电流的最大值;
其中,所述第一辐射体在目标频段内产生共振模态并分布有主要电流路径,所述第二辐射体在目标频段内不产生共振模态或者产生弱共振模态并分布有较弱的电流路径。
2.根据权利要求1所述的电子设备,其特征在于,所述第二辐射体(6)的共振模态为1/4波长的基模或者2/4波长的基模,且所述第二辐射体(6)的基模的共振频率高于所述第一辐射体(5)的基模的共振频率。
3.根据权利要求1所述的电子设备,其特征在于,所述第一辐射体(5)与所述第二辐射体(6)之间的容性耦合小于第一阈值,在所述目标频段内,所述第二辐射体(6)的史密斯圆图中无椭圆、圆形圈或折线段,或者包围所述第二辐射体(6)的史密斯圆图中的阻抗曲线的最小圆的直径小于包围所述第一辐射体(5)的史密斯圆图中阻抗曲线的最小圆的直径的五分之一。
4.根据权利要求1所述的电子设备,其特征在于,所述第一辐射体(5)与所述第二辐射体(6)之间的容性耦合大于或等于所述第一阈值,在非目标频段内,包围所述第二辐射体(6)的史密斯圆图中的阻抗曲线的最小圆的直径大于包围所述第一辐射体(5)的史密斯圆图中的阻抗曲线的最小圆的直径的五分之一。
5.根据权利要求1所述的电子设备,其特征在于,所述电子设备还包括:
馈源(4),所述馈源(4)一端连接所述馈电点,另一端与所述接地板(3)连接。
6.根据权利要求5所述的电子设备,其特征在于,所述电子设备还包括:
天线匹配电路,所述第一辐射体(5)通过所述天线匹配电路与所述馈源(4)连接。
7.根据权利要求1所述的电子设备,其特征在于,所述第二辐射体(6)为设置在所述第一边框(11)上的金属导体,所述第二辐射体(6)上的至少一个连接点与所述接地板(3)连接。
8.根据权利要求1所述的电子设备,其特征在于,所述第二辐射体(6)为所述第一边框(11),所述第一边框(11)为金属边框。
9.根据权利要求1所述的电子设备,其特征在于,所述第二辐射体(6)为悬空导体,设置于所述壳体(1)内。
10.根据权利要求1所述的电子设备,其特征在于,所述第一辐射体(5)为单极天线、倒F型天线、平面倒F型天线或者环形天线。
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